GD750HFA120C6S,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =100 о C

750

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

1500

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

3125

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1500

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t р = 10 мс @ T vj = 25о C @ T vj =150 о C

3104

2472

A

Я 2т

Я 2t- значение ,т р =10 mS @ Т vj =25 о C @ T vj =150 о C

48174

30554

A 2s

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =750A,В GE =15В, Т vj =25 о C

1.35

1.85

В

Я C =750A,В GE =15В, Т vj =125 о C

1.55

Я C =750A,В GE =15В, Т vj =175 о C

1.55

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.5

6.3

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

85.2

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.45

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

6.15

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =750A,

R G =0.5Ом,

В GE =-8V/+15V,

Л S =40 nH ,Т vj =25 о C

238

nS

т r

Время нарастания

76

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

622

nS

т f

Время спада

74

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

68.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

52.8

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =750A, R G =0.5Ом,

В GE =-8V/+15V,

Л S =40 nH ,Т vj =125 о C

266

nS

т r

Время нарастания

89

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

685

nS

т f

Время спада

139

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

88.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

67.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =750A, R G =0.5Ом,

В GE =-8V/+15V,

Л S =40 nH ,Т vj =175 о C

280

nS

т r

Время нарастания

95

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

715

nS

т f

Время спада

166

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

102

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

72.7

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤8μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2500

A

т Р ≤6μs, В GE =15В,

Т vj =175 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =750A,В GE =0V,T vj =2 5о C

1.60

2.05

В

Я F =750A,В GE =0V,T vj =125 о C

1.65

Я F =750A,В GE =0V,T vj =175 о C

1.65

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, Л S =40 nH ,Т vj =25 о C

79.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

369

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

23.3

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =750A,

-di/dt=5600A/μс,В GE =-8V, Л S =40 nH ,Т vj =125 о C

120

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

400

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

39.5

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, Л S =40 nH ,Т vj =175 о C

151

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

423

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

49.7

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.048 0.088

K/W

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT )Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.028 0.051 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g