GD750HFA120C6S,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =100o C

750

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1500

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

3125

Ш

Символ

Описание

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

900

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1500

А

О ФСМ

Напряжение вперед t p = 10 мс @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

А

О 2t

О 2t- значение ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

48174

30554

А 2s

Символ

Описание

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =750A,В GE =15В, T vj =25o C

1.35

1.85

V

О C =750A,В GE =15В, T vj =125o C

1.55

О C =750A,В GE =15В, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =24.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

85.2

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.45

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =750A,

Пруток G =0.5Ом,

V GE =-8V/+15V,

Л S =40nH ,T vj =25o C

238

nS

t пруток

Время нарастания

76

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

622

nS

t f

Время спада

74

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

68.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

52.8

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =750A, Пруток G =0.5Ом,

V GE =-8V/+15V,

Л S =40nH ,T vj =125o C

266

nS

t пруток

Время нарастания

89

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

685

nS

t f

Время спада

139

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

88.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

67.4

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =750A, Пруток G =0.5Ом,

V GE =-8V/+15V,

Л S =40nH ,T vj =175o C

280

nS

t пруток

Время нарастания

95

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

715

nS

t f

Время спада

166

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

102

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

72.7

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤8μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

2500

А

t P ≤6μs, V GE =15В,

T vj =175o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

2400

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

О F =750A,В GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

О F =750A,В GE =0V,T vj =125o C

1.65

О F =750A,В GE =0V,T vj =175o C

1.65

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, Л S =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

369

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

23.3

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =750A,

-di/dt=5600A/μс,В GE =-8V, Л S =40nH ,T vj =125o C

120

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

400

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

39.5

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, Л S =40nH ,T vj =175o C

151

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

423

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

49.7

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.048 0.088

K/W

Пруток thCH

Кейс -к -Радиатор (наIGBT )Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.028 0.051 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g