GD750HFA120C6S,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=100o C

750

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1500

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

3125

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1500

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t p = 10 мс @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

Я 2t

Я 2t- значение ,t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

48174

30554

A2с

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=750A,В GE =15В, T vj =25o C

1.35

1.85

V

Я C=750A,В GE =15В, T vj =125o C

1.55

Я C=750A,В GE =15В, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=24.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

85.2

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.45

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=750A,

Пруток Г =0.5Ом,

V GE =-8V/+15V,

LС =40nH ,T vj =25o C

238

nS

t пруток

Время нарастания

76

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

622

nS

t f

Время спада

74

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

68.0

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

52.8

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=750A, Пруток Г =0.5Ом,

V GE =-8V/+15V,

LС =40nH ,T vj =125o C

266

nS

t пруток

Время нарастания

89

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

685

nS

t f

Время спада

139

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

88.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

67.4

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=750A, Пруток Г =0.5Ом,

V GE =-8V/+15V,

LС =40nH ,T vj =175o C

280

nS

t пруток

Время нарастания

95

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

715

nS

t f

Время спада

166

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

102

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

72.7

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤8μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

2500

A

t P≤6μs, V GE =15В,

T vj =175o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =750A,В GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

Я F =750A,В GE =0V,T vj =125o C

1.65

Я F =750A,В GE =0V,T vj =175o C

1.65

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, LС =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

369

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

23.3

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =750A,

-di/dt=5600A/μс,В GE =-8V, LС =40nH ,T vj =125o C

120

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

400

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

39.5

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, LС =40nH ,T vj =175o C

151

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

423

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

49.7

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.048 0.088

K/W

Пруток thCH

Корпус —до —Радиатор (наIGBT )Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.028 0.051 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

350

г