GD200HFX120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C=90o C

297

200

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

400

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

937

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

400

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C=200A,В GE =15В, T j =25o C

1.75

2.20

V

Я C=200A,В GE =15В, T j =125o C

2.00

Я C=200A,В GE =15В, T j =150o C

2.05

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=5.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.0

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

18.6

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

0.52

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

1.40

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г = 1. 1Ω, В GE =±15В, T j =25o C

120

nS

t пруток

Время нарастания

26

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

313

nS

t f

Время спада

88

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

8.96

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

10.7

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г = 1. 1Ω, В GE =±15В, T j = 125o C

129

nS

t пруток

Время нарастания

30

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

391

nS

t f

Время спада

157

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

15.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

16.1

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г = 1. 1Ω, В GE =±15В, T j = 150o C

129

nS

t пруток

Время нарастания

34

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

411

nS

t f

Время спада

175

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

17.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

18.1

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

720

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

Я F =200A,В GE =0V,T j = 125o C

1.65

Я F =200A,В GE =0V,T j = 150o C

1.65

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В T j =25o C

18.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

239

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

8.08

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В T j =125o C

33.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

250

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

14.5

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В T j =150o C

38.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

259

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

15.9

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

Пруток CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.25

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.160

0.206

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.036

0.046

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г