Краткое введение
Модуль IGBT ,произведено STARPOWER. 1200В 200А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Низкие потери при переключении
-
Максимальная температура соединения 175 ℃
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типичные применения
- Источник бесперебойного питания
- Индуктивное нагревание
- Сварочный аппарат
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Ценности |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C
@ T C = 100о C
|
309
200
|
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
400 |
A |
P Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T =175 о C |
1006 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Ценности |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
В |
Я К |
Диод непрерывно передний арендная плата |
200 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
400 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Ценности |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Температура хранения Запас хода |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
2500 |
В |
IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
Я C =200A,В GE =15В, Т j =25 о C |
|
1.70 |
2.15 |
В
|
Я C =200A,В GE =15В, Т j =125 о C |
|
1.95 |
|
Я C =200A,В GE =15В, Т j =150 о C |
|
2.00 |
|
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =5.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Ток
|
В СЕ = В CES ,В GE =0V,
Т j =25 о C
|
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
4.0 |
|
ω |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =200A, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j =25 о C
|
|
150 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
32 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
330 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
93 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
11.2 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
11.3 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =200A, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j = 125о C
|
|
161 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
37 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
412 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
165 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
19.8 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
17.0 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =200A, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j = 150о C
|
|
161 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
43 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
433 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
185 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
21.9 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
19.1 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,
Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В
|
|
800
|
|
A
|
Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
|
В К
|
Диод вперед
Напряжение
|
Я К =200A,В GE =0V,T j =25 о C |
|
1.65 |
2.10 |
В
|
Я К =200A,В GE =0V,T j = 125о C |
|
1.65 |
|
Я К =200A,В GE =0V,T j = 150о C |
|
1.65 |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I К =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C
|
|
17.6 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
228 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
7.7 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I К =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В Т j =125 о C
|
|
31.8 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
238 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
13.8 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I К =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В Т j =150 о C
|
|
36.6 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
247 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
15.2 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
δR/R |
Отклонение из R 100 |
Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
21 |
|
nH |
R CC+EE |
Противодействие свинца модуля е, Терминал к Кристаллу |
|
1.80 |
|
мОм |
R thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на D) йода)
|
|
|
0.149
0.206
|
K/W |
|
R thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Корпус к радиатору (п ер диод)
Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)
|
|
0.031
0.043
0.009
|
|
K/W |
М |
Монографный винт:M6 |
3.0 |
|
6.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
300 |
|
g |
EN
