Краткое описание
Модуль IGBT ,произведено STARPOWER. 1200В 200А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Низкие потери при переключении
-
Максимальная температура соединения 175 ℃
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типовые области применения
- Источник бесперебойного питания
- Индуктивное нагревание
- Сварочный аппарат
Абсолютное Максимальный Рейтинги T C=25o C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Ценности |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
Я C |
Коллекторный ток @ T C=25o C
@ T C= 100o C
|
309
200
|
A |
Я См |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
400 |
A |
PD |
Максимальное рассеивание мощности @ T =175o C |
1006 |
Ш |
Диод
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Ценности |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
V |
Я F |
Диод непрерывно передний арендная плата |
200 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
400 |
A |
МОДУЛЬ
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Ценности |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Температура хранения Дальность действия |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН |
2500 |
V |
IGBT Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
Я C=200A,В GE =15В, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Я C=200A,В GE =15В, T j =125o C |
|
1.95 |
|
Я C=200A,В GE =15В, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C=5.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
Я CES |
Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Текущий
|
V СЕ =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
4.0 |
|
ω |
t d (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г = 1. 1Ω, В GE =±15В, T j =25o C
|
|
150 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
32 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
330 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
93 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение
Потеря
|
|
11.2 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
11.3 |
|
mJ |
t d (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г = 1. 1Ω, В GE =±15В, T j = 125o C
|
|
161 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
37 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
412 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
165 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение
Потеря
|
|
19.8 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
17.0 |
|
mJ |
t d (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г = 1. 1Ω, В GE =±15В, T j = 150o C
|
|
161 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
43 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
433 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
185 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение
Потеря
|
|
21.9 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
19.1 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
t P≤ 10 мкс,В GE =15В,
T j =150o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В
|
|
800
|
|
A
|
Диод Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
|
V F
|
Диод вперед
Напряжение
|
Я F =200A,В GE =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
Я F =200A,В GE =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
Я F =200A,В GE =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
В. пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В T j =25o C
|
|
17.6 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
228 |
|
A |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
7.7 |
|
mJ |
В. пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В T j =125o C
|
|
31.8 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
238 |
|
A |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
13.8 |
|
mJ |
В. пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В T j =150o C
|
|
36.6 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
247 |
|
A |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
15.2 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
δR/R |
Отклонение из Пруток 100 |
T C= 100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
МОДУЛЬ Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
LСЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
21 |
|
nH |
Пруток CC+EE |
Противодействие свинца модуля е, Терминал к Кристаллу |
|
1.80 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на D) йода)
|
|
|
0.149
0.206
|
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Корпус к радиатору (п ер диод)
Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)
|
|
0.031
0.043
0.009
|
|
K/W |
М |
Монографный винт:M6 |
3.0 |
|
6.0 |
Н.М |
Г |
Вес из МОДУЛЬ |
|
300 |
|
г |
EN
