GD800HFA120C2S_B20 ,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

Временное напряжение затвора-эмиттера

±20 ±30

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C = 95 о C

1280

800

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1600

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

3191

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диодная непрерывная прямая токовая способность вход

800

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1600

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C = 800 А,В GE =15В, Т vj =25 о C

1.30

1.75

В

Я C = 800 А,В GE =15В, Т vj =125 о C

1.45

Я C = 800 А,В GE =15В, Т vj =150 о C

1.50

Я C = 800 А,В GE =15В, Т vj =175 о C

1.55

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 32,0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.5

6.1

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.38

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

156

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.10

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-8...+15В

10.3

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =800A, R G = 1,2Ω,

В GE =-8V/+15V, Т vj =25 о C

338

nS

т r

Время нарастания

174

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1020

nS

т к

Время спада

100

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

65.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

88.8

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =800A, R G = 1,2Ω,

В GE =-8V/+15V, Т vj =125 о C

398

nS

т r

Время нарастания

203

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1140

nS

т к

Время спада

183

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

96.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

109

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =800A, R G = 1,2Ω,

В GE =-8V/+15V, Т vj =150 о C

413

nS

т r

Время нарастания

213

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1140

nS

т к

Время спада

195

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

105

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

113

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =800A, R G = 1,2Ω,

В GE =-8V/+15V, Т vj =175 о C

419

nS

т r

Время нарастания

223

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1142

nS

т к

Время спада

205

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

110

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

115

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤8μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

3300

A

Я SC

Данные SC

т P ≤6μs, В GE =15В,

Т vj =175 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

3000

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К = 800 А,В GE =0V,T vj =2 5о C

1.85

2.30

В

Я К = 800 А,В GE =0V,T vj =125 о C

1.85

Я К = 800 А,В GE =0V,T vj =150 о C

1.85

Я К = 800 А,В GE =0V,T vj =175 о C

1.85

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, Т vj =25 о C

28.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

311

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

13.9

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, Т vj =125 о C

56.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

378

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

23.7

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, Т vj =150 о C

66.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

395

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

26.7

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, Т vj =175 о C

72.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

403

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

28.6

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.42

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.047 0.083

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.031 0.055 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

320

g