GD800HFA120C2S_B20 ,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

Временное напряжение затвора-эмиттера

±20 ±30

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =95o C

1280

800

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1600

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

3191

Ш

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О F

Диодная непрерывная прямая токовая способность вход

800

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1600

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C = 800 А,В GE =15В, T vj =25o C

1.30

1.75

V

О C = 800 А,В GE =15В, T vj =125o C

1.45

О C = 800 А,В GE =15В, T vj =150o C

1.50

О C = 800 А,В GE =15В, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =32.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.38

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

156

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.10

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-8...+15В

10.3

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =800A, Пруток G = 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

338

nS

t пруток

Время нарастания

174

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1020

nS

t f

Время спада

100

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

65.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

88.8

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =800A, Пруток G = 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =125o C

398

nS

t пруток

Время нарастания

203

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1140

nS

t f

Время спада

183

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

96.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

109

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =800A, Пруток G = 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

413

nS

t пруток

Время нарастания

213

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1140

nS

t f

Время спада

195

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

105

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

113

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =800A, Пруток G = 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

419

nS

t пруток

Время нарастания

223

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1142

nS

t f

Время спада

205

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

110

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

115

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤8μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

3300

А

О SC

Данные SC

t P ≤6μs, V GE =15В,

T vj =175o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

3000

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F = 800 А,В GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

О F = 800 А,В GE =0V,T vj =125o C

1.85

О F = 800 А,В GE =0V,T vj =150o C

1.85

О F = 800 А,В GE =0V,T vj =175o C

1.85

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25o C

28.6

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

311

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

13.9

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125o C

56.8

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

378

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

23.7

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj =150o C

66.3

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

395

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

26.7

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj =175o C

72.1

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

403

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

28.6

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.42

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.047 0.083

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.031 0.055 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

320

g