MTx800 MFx800 MT800,Тиристор/диодные модули,охлаждение воздухом

VRRM,VDRM

Тип и контур

2000 В

MTx800-20-410F3

MFx800-20-410F3

2200В

MTx800-22-410F3

MFx800-22-410F3

2500 В

MTx800-25-410F3

MFx800-25-410F3

2500 В

MT800-25-410F3G

Символ

Характеристика

Условия испытаний

Tj( ℃ )

Значение

Единица

Мин

ТИП

Макс

IT(AV)

Средний ток в проводимом состоянии

180。полусинусоида 50Гц

Одностороннее охлаждение, TC=70 ℃

125

800

A

IT(RMS)

Эффективный ток в состоянии включения

1256

A

Idrm Irrm

Повторяющийся пиковый ток

при VDRM при VRRM

125

50

mA

ITSM

Импульсный ток в проводимом состоянии

VR=60%VRRM,t=10ms полусинус,

125

16

кА

Я ²т

I2t для координации плавления

125

1280

10³A ²с

VTO

Напряжение порога

125

0.85

В

пТ

Сопротивление наклона в проводимом состоянии

0.30

мОм

VTM

Пиковое напряжение в проводимом состоянии

ITM=2400A

25

2.30

В

dv/dt

Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения

Источник затвора 1.5A

tr ≤0.5μs Повторяющийся

125

200

A/μs

IGT

Ток срабатывания затвора

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Напряжение срабатывания затвора

0.8

3.0

В

IH

Ток удержания

10

200

mA

ИЛ

Ток захвата

1000

mA

VGD

Напряжение затвора без срабатывания

VDM=67%VDRM

125

0.20

В

Rth(j-c)

Тепловое сопротивление от узла к корпусу

Одностороннее охлаждение на чип

0.048

℃ /W

Rth(c-h)

Тепловое сопротивление корпуса к радиатору

Одностороннее охлаждение на чип

0.030

℃ /W

Визо

Изоляционное напряжение

50Гц, R.M.S, t=1мин, Iiso: 1мА (макс)

3000

В

ЧМ

Крутящий момент терминального соединения ((M12)

12

16

Н·м

Момент установки ((M8)

10

12

Н·м

Телевидение

Температура соединения

-40

125

℃

ТСТГ

Хранимая температура

-40

125

℃

Вт

Вес

3310

g

Основные положения

410F3