Все категории
Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница /  Продукция /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200V

GD300SGU120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

1200 В 300 А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300SGU120C2S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В, 300 А.

Особенности

  • Технология NPT IGBT
  • возможность короткого замыкания 10 мкм
  • Низкие потери при переключении
  • Прочный с ультрабыстрыми характеристиками
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичный Области применения

  • Импульсные источники питания
  • Индуктивное нагревание
  • Электрический сварщик

Абсолютное Максимальный Рейтинги T C =25 если только иначе отмечено

Символ

Описание

GD300SGU120C2S

Единицы

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

VGES

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Ic

Ток коллектора @ TC=25℃

@ TC=80°C

440

300

А

МКК

Импульсный ток коллектора tp=1ms

600

А

IF

Диод Непрерывный Прямой Ток @ TC=80℃

300

А

ИФМ

Максимальный прямой ток диода tp=1ms

600

А

ПД

Максимальная мощность рассеяния @ Tj=150℃

2272

Ш

Tjmax

Максимальная температура стыка

150

ТСТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

Визо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Крутящий момент крепления

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

от 1.1 до 2.0

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5,0

Н.М

Монографный винт:M6

3,0 - 5,0

Электрический Характеристики из IGBT T C =25 если только иначе отмечено

Не характеризуется

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V ((BR) CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

Tj=25°C

1200

V

ICES

Ток коллектора отключения

Текущий

ВЭС=ВКЭС,ВГЭ=0В,Тж=25°С

5.0

mA

IGES

Ток утечки излучателя врат

ВЭГ=ВГЭС,ВЭС=0В,Тж=25°С

400

нД

О характеристиках

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

VGE (th)

Пороговое напряжение выпускателя

IC=3,0mA, VCE=VGE, Tj=25°C

4.4

5.2

6.0

V

VCE(sat)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

IC=300A, VGE=15V, Tj=25°C

3.10

3.55

V

IC=300A, VGE=15V, Tj=125°C

3.45

Смена характеристик

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C = 300A, Пруток G =3,3Ω,

V GE =±15В, T j =25

662

nS

t пруток

Время нарастания

142

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

633

nS

t f

Время спада

117

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

19.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

22.4

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C = 300A, Пруток G =3,3Ω,

V GE =±15В, T j =125

660

nS

t пруток

Время нарастания

143

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

665

nS

t f

Время спада

137

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

24.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

28.4

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =30В, f=1МГц,

V GE =0В

25.3

нФ

C - Да.

Выходной объем

2.25

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.91

нФ

О SC

Данные SC

t P ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

T j =125℃,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

2550

А

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

мОм

Электрический Характеристики из Диод T C =25 если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед

Напряжение

О F =300А

T j =25

1.82

2.25

V

T j =125

1.95

Q пруток

Восстановлено

Заряд

О F = 300A,

V Пруток =600 В,

Пруток G =3,3Ω,

V GE = 15 В

T j =25

29.5

μC

T j =125

42.3

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

T j =25

210

А

T j =125

272

Е rec

Обратное восстановление Энергия

T j =25

16.4

mJ

T j =125

22.7

Тепловой характеристик iCS

Символ

Параметры

Тип.

Макс.

Единицы

Пруток θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

0.055

K/W

Пруток θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) Йода)

0.092

K/W

Пруток θ CS

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

0.035

K/W

Вес

Вес Модуль

300

g

Основные положения

image(6b521639e0).png

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Сопутствующий товар

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ожидает вашего обращения.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000