Краткое введение
Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В, 300 А.
Особенности
- Технология NPT IGBT
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- Низкие потери при переключении
- Прочный с ультрабыстрыми характеристиками
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типовой Применения
- Импульсные источники питания
- Индуктивное нагревание
- Электрический сварщик
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Символ |
Описание |
GD300SGU120C2S |
Единицы |
VCES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
VGES |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Ic |
Ток коллектора @ TC=25℃
@ TC=80°C
|
440
300
|
A |
МКК |
Импульсный ток коллектора tp=1ms |
600 |
A |
IF |
Диод Непрерывный Прямой Ток @ TC=80℃ |
300 |
A |
ИФМ |
Максимальный прямой ток диода tp=1ms |
600 |
A |
ПД |
Максимальная мощность рассеяния @ Tj=150℃ |
2272 |
В |
Tjmax |
Максимальная температура стыка |
150 |
℃ |
ТСТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
℃ |
Визо |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
В |
Крутящий момент крепления |
Свинцовый конец сигнального устройства:M4 |
от 1.1 до 2.0 |
|
Крепежный винт силового терминала:M6 |
2,5 до 5,0 |
Н.М |
Монографный винт:M6 |
3,0 - 5,0 |
|
Электрический Характеристики из IGBT Т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Не характеризуется
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
V ((BR) CES |
Сборщик-выпускник
Предельное напряжение
|
Tj=25°C |
1200 |
|
|
В |
ICES |
Ток коллектора отключения
Ток
|
ВЭС=ВКЭС,ВГЭ=0В,Тж=25°С |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Ток утечки излучателя врат |
ВЭГ=ВГЭС,ВЭС=0В,Тж=25°С |
|
|
400 |
нД |
О характеристиках
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
VGE (th) |
Пороговое напряжение выпускателя |
IC=3,0mA, VCE=VGE, Tj=25°C |
4.4 |
5.2 |
6.0 |
В |
|
VCE(sat)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
IC=300A, VGE=15V, Tj=25°C |
|
3.10 |
3.55 |
В
|
IC=300A, VGE=15V, Tj=125°C |
|
3.45 |
|
Смена характеристик
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C = 300A, R G =3,3Ω,
В GE =±15В, Т j =25 ℃
|
|
662 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
142 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
633 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
117 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
19.7 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
22.4 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C = 300A, R G =3,3Ω,
В GE =±15В, Т j =125 ℃
|
|
660 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
143 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
665 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
137 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
24.9 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
28.4 |
|
mJ |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =30В, f=1МГц,
В GE =0В
|
|
25.3 |
|
нФ |
C - Да. |
Выходной объем |
|
2.25 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
0.91 |
|
нФ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤ 10 мкс,В GE =15 В,
Т j =125 °C, В CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В
|
|
2550
|
|
A
|
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
|
20 |
nH |
|
R CC+EE
|
Модуль свинцовый
Сопротивление,
Терминал на чип
|
|
|
0.18
|
|
мОм
|
Электрический Характеристики из Диод Т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
В К |
Диод вперед
Напряжение
|
Я К =300А |
Т j =25 ℃ |
|
1.82 |
2.25 |
В |
Т j =125 ℃ |
|
1.95 |
|
Q r |
Восстановлено
Заряд
|
Я К = 300A,
В R =600 В,
R G =3,3Ω,
В GE = 15 В
|
Т j =25 ℃ |
|
29.5 |
|
μC |
Т j =125 ℃ |
|
42.3 |
|
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
Т j =25 ℃ |
|
210 |
|
A |
Т j =125 ℃ |
|
272 |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
Т j =25 ℃ |
|
16.4 |
|
mJ |
Т j =125 ℃ |
|
22.7 |
|
Тепловой характеристик ика
Символ |
Параметры |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
R θ Д.К. |
Соединение с делом (на IGB) T) |
|
0.055 |
K/W |
R θ Д.К. |
Соединение с корпусом (на D) Йода) |
|
0.092 |
K/W |
R θ КС |
Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь) |
0.035 |
|
K/W |
Вес |
Вес Модуль |
300 |
|
g |
EN
