GD400HTX120P6H, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

400

A

Я C

Коллекторный ток @ T К =120 о C

250

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

A

P Г

Максимальное распределение мощности ация @ Т К =75 о C Т j =175 о C

970

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность gE

1200

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

400

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

250

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я

-40 до +150 +150 до +175

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

г Ползучесть

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

9.0 9.0

мм

г Прозрачный

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

4.5 4.5

мм

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =250A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.45

1.80

В

Я C =250A,V GE =15В, Т j =125 о C

1.65

Я C =250A,V GE =15В, Т j =150 о C

1.70

Я C =380A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.70

Я C =380A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.15

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =9.75 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

2.4

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

33.6

нФ

C - Да.

Выходной объем

1.43

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.82

нФ

Q G

Сбор за вход

В СЕ = 600 В,I C =250A, V GE =-8...+15В

1.98

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =250A, R G = 2,2Ω, Л С =24 nH ,В GE =-8V/+15V,

Т j =25 о C

231

nS

т r

Время нарастания

50

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

545

nS

т к

Время спада

172

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

19.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

23.2

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =250A, R G = 2,2Ω, Л С =24 nH ,В GE =-8V/+15V,

Т j =125 о C

241

nS

т r

Время нарастания

57

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

619

nS

т к

Время спада

247

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

26.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

28.7

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =250A, R G = 2,2Ω, Л С =24 nH ,В GE =-8V/+15V,

Т j =150 о C

245

nS

т r

Время нарастания

57

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

641

nS

т к

Время спада

269

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

30.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

30.9

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤6μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1200

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =250A,V GE =0V,T j =25 о C

1.50

1.90

В

Я К =250A,V GE =0V,T j =1 25о C

1.45

Я К =250A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.40

Я К =380A,V GE =0V,T j =25 о C

1.65

Я К =380A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.60

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =250A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8В Л С =24 nH ,Т j =25 о C

9.10

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

160

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

4.39

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =250A,

-di/dt=4300А/μs,В GE =-8В Л С =24 nH ,Т j =125 о C

21.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

192

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

8.43

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =250A,

-di/dt=4120A/μs,V GE =-8В Л С =24 nH ,Т j =150 о C

25.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

203

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

9.97

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

△ p

△ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т К =75 о C

64

мбар

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

2.5

штанга

R фНП

От соединения до охлаждающей жидкости (за IGBT) Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т К =75 о C

0.090 0.126

0.103 0.145

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Вес из Модуль

750

g