GD400HTX120P6H, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

И CN

Использование коллектора Cu ренты

400

А

И C

Коллекторный ток @ T F =120о C

250

А

И См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

А

PД

Максимальное распределение мощности ация @ T F =75о C T j =175о C

970

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность gE

1200

V

И ФН

Использование коллектора Cu ренты

400

А

И F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

250

А

И ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

А

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

T - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я

-40 до +150 +150 до +175

о C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

д Ползучесть

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

9.0 9.0

мм

д Прозрачный

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

4.5 4.5

мм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

И C=250A,V GE =15В, T j =25о C

1.45

1.80

V

И C=250A,V GE =15В, T j =125о C

1.65

И C=250A,V GE =15В, T j =150о C

1.70

И C=380A,V GE =15В, T j =25о C

1.70

И C=380A,V GE =15В, T j =150о C

2.15

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

И C=9.75mA ,V СЕ =V GE , T j =25о C

5.6

6.2

6.8

V

И CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25о C

1.0

mA

И ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25о C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

2.4

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

33.6

нФ

C- Да.

Выходной объем

1.43

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.82

нФ

В Г

Сбор за вход

V СЕ = 600 В,I C =250A, V GE =-8...+15В

1.98

μC

t д (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=250A, Пруток Г = 2,2Ω, LС =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =25о C

231

nS

t пруток

Время нарастания

50

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

545

nS

t f

Время спада

172

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

19.6

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

23.2

mJ

t д (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=250A, Пруток Г = 2,2Ω, LС =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =125о C

241

nS

t пруток

Время нарастания

57

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

619

nS

t f

Время спада

247

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

26.6

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

28.7

mJ

t д (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=250A, Пруток Г = 2,2Ω, LС =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =150о C

245

nS

t пруток

Время нарастания

57

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

641

nS

t f

Время спада

269

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

30.1

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

30.9

mJ

И SC

Данные SC

t P≤6μs, V GE =15В,

T j =150о C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

1200

А

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

И F =250A,V GE =0V,T j =25о C

1.50

1.90

V

И F =250A,V GE =0V,T j =125о C

1.45

И F =250A,V GE =0V,T j =150о C

1.40

И F =380A,V GE =0V,T j =25о C

1.65

И F =380A,V GE =0V,T j =150о C

1.60

В пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =250A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8В LС =24nH ,T j =25о C

9.10

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

160

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

4.39

mJ

В пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =250A,

-di/dt=4300А/μs,В GE =-8В LС =24nH ,T j =125о C

21.4

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

192

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

8.43

mJ

В пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =250A,

-di/dt=4120A/μs,V GE =-8В LС =24nH ,T j =150о C

25.7

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

203

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

9.97

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C=100 о C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

△p

△V/ △t=10,0 дм 3/мИН ,T F =75о C

64

мбар

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

2.5

пруток

Пруток фНП

От соединения до охлаждающей жидкости (за IGBT) Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △V/ △t=10,0 дм 3/мИН ,T F =75о C

0.090 0.126

0.103 0.145

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

750

г