Водяное охлаждение

MTx1000 MFx1000 MT1000,Тиристорные/Диодные модули,Охлаждение водой

1000A,600V~1800V,411F3

Brand:

ТЕХСЕМ

Spu:

MTx1000 МФx1000 MT1000

Appurtenance:

Брошюра продукта:СКАЧАТЬ

Введение
Основные положения
Схема эквивалентной цепи

Введение

Краткое введение

Тиристор/диодный модуль e, MTx1000 MFx1000 MT1 ，1000A ,Водяное охлаждение ，произведенный TECHSEM.

VRRM,VDRM

Тип и контур

600V

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

MTx1000-06-411F3 MTx1000-08-411F3 MTx1000-10-411F3 MTx1000-12-411F3 MTx1000-14-411F3 MTx1000-16-411F3 MTx1000-18-411F3 MTx1000-18-411F3 MTx1000-18-411F3

MFx1000-06-411F3

MFx1000-08-411F3

MFx1000-10-411F3

MFx1000-12-411F3

MFx1000-14-411F3

MFx1000-16-411F3

MFx1000-18-411F3

MTx означает любой тип MTC, MTA, MTK

MFx означает любой тип MFC, MFA, MFK

Особенности

Изолированная монтажная база 3000V~
Технология контактного давления с
Увеличенной способностью к циклам мощности
Экономия пространства и веса

Типичные применения

Двигатели двигателей СВ/ДС
Различные выпрямители
Подача постоянного тока для инверта PWM

Символ	Характеристика	Условия испытаний	Tj( ℃ )	Значение			Единица
Символ	Характеристика	Условия испытаний	Tj( ℃ )	Мин	ТИП	Макс	Единица
IT(AV)	Средний ток в проводимом состоянии	180° полусинусоида 50Гц Одностороннее охлаждение, THS=55 ℃	125			1000	A
IT(RMS)	Эффективный ток в состоянии включения	180° полусинусоида 50Гц Одностороннее охлаждение, THS=55 ℃	125			1570	A
Idrm Irrm	Повторяющийся пиковый ток	при VDRM при VRRM	125			55	mA
ITSM	Импульсный ток в проводимом состоянии	VR=60%VRRM, t=10ms полусинус	125			26.0	кА
I2t	I2t для координации плавления	VR=60%VRRM, t=10ms полусинус	125			3380	10³A ²s
VTO	Напряжение порога		125			0.81	В
пТ	Сопротивление наклона в проводимом состоянии		125			0.21	мОм
VTM	Пиковое напряжение в проводимом состоянии	ITM=3000A	25			2.05	В
dv/dt	Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения	Источник затвора 1.5A tr ≤ 0,5μs Повторяющийся	125			200	A/μs
IGT	Ток срабатывания затвора	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
Vgt	Напряжение срабатывания затвора			0.8		3.0	В
IH	Ток удержания			10		200	mA
ИЛ	Ток захвата					1000	mA
VGD	Напряжение затвора без срабатывания	VDM=67%VDRM	125			0.20	В
Rth(j-c)	Тепловое сопротивление от узла к корпусу	Одностороннее охлаждение на чип				0.048	℃ /W
Rth(c-h)	Тепловое сопротивление корпуса к радиатору	Одностороннее охлаждение на чип				0.018	℃ /W
Визо	Изоляционное напряжение	50Hz,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(МАКС)		3000			В
ЧМ	Крутящий момент терминального соединения ((M12)			12		16	Н·м
ЧМ	Момент установки ((M8)			10		12	Н·м
Телевидение	Температура соединения			-40		125	℃
ТСТГ	Хранимая температура			-40		125	℃
Вт	Вес				3230		g
Основные положения	411F3