Dengan perkembangan pesat kenderaan elektrik, tenaga boleh baharu, automasi industri, dan elektronik kuasa lanjutan, semikonduktor kuasa Karbon Silikon (SiC) semakin menjadi teknologi penting bagi sistem kuasa generasi seterusnya yang berkecekapan tinggi.
Berbanding peranti berbasis silikon konvensional, peranti SiC menawarkan beberapa kelebihan teknikal, termasuk frekuensi pensuisan yang lebih tinggi, kehilangan pensuisan yang lebih rendah, keupayaan beroperasi pada suhu yang lebih tinggi, serta ketumpatan kuasa yang ditingkatkan. Ciri-ciri ini membantu meningkatkan kecekapan sistem, mengurangkan penggunaan tenaga, dan menyokong rekabentuk sistem yang lebih padat dan ringan.
Untuk memenuhi permintaan pasaran yang semakin meningkat terhadap semikonduktor kuasa berprestasi tinggi, kami sedang meluaskan portofolio produk kami untuk merangkumi pelbagai SiC produk dan penyelesaian. Barisan produk SiC kami termasuk:
Modul MOSFET SiC
Peranti Diskret MOSFET SiC
Diod Halangan Schottky (SBD) SiC
Penyelesaian Kuasa Full-SiC
Produk kami boleh diaplikasikan dalam pelbagai industri dan aplikasi, termasuk:
Kenderaan Elektrik (EV)
Sistem Simpanan Tenaga (ESS)
Inverter suria
Penyongsang Industri dan Pemandu Motor
Sistem pengecasan ev
Peralatan bekalan kuasa
Sistem automasi perindustrian
Aplikasi Kereta Api dan Industri Berkuasa Tinggi
Kami memahami bahawa pelanggan mungkin mempunyai keperluan yang berbeza dari segi prestasi, jenis pek, pengoptimuman kos, dan permohonan persekitaran. Oleh itu, selain daripada produk piawai, kami juga bertujuan untuk menyokong pelanggan dalam pemilihan produk dan pencocokan aplikasi mengikut keperluan projek mereka.
Seiring dengan perkembangan teknologi SiC dan penerimaannya yang semakin meluas di pasaran global, kami menantikan kerjasama dengan pelanggan dan rakan kongsi di seluruh dunia untuk menyediakan penyelesaian semikonduktor kuasa SiC yang boleh dipercayai dan cekap bagi aplikasi tenaga dan industri masa depan.
SCE900N1200ED
Modul SiC
Ciri-ciri
- Operasi Suhu Tinggi, Kelembapan Tinggi, dan Bias
- Hilang Ultra Rendah
- Operasi frekuensi tinggi
- Arus Ekor Pemadaman Sifar daripada MOSFET
- Operasi Peranti Secara Normal-Matikan, Tidak Berisiko
- Tapak Tembaga dan Penebat Aluminium Nitrida
Aplikasi
- Penukar Berkuasa Tinggi
- Pemandu Motor
- Penggerak servo
- Sistem UPS
- Turbin Angin
Simbol |
Parameter |
Nilai |
Unit |
Ujian Syarat |
Maksimum mutlak penilaian |
V DS |
Voltan Drain-Sumber |
1200 |
V |
T C = 25°C |
Saya D |
Arus Lesap (berterusan) |
900 |
A |
T C = 25°C |
T J |
Suhu persimpangan |
175 |
。C |
|
Simbol |
Parameter |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
Ujian Syarat |
Ciri Statik ikat sosial |
R RDS(on) |
Statik Sumber-Drain pada Rintangan |
- |
1.8 |
2.5 |
mΩ |
V Gs =18V; Saya D =450A; T C = 25°C |
Ciri-ciri dinamik |
Q G |
Jumlah Gerbang Cas |
- |
2142 |
- |
nC |
V DD =800V; V Gs =-5/+18V; Saya D =450A; T C = 25°C |
Q GD |
Cas gate-drain |
- |
705 |
- |
Diod Sumber-Drain |
Q Rr |
Pemulihan Terbalik Cas |
- |
5517 |
- |
nC |
V Gs =-5/+18V; Saya F =500A; V R =900V; Beban=100µH; T J = 25°C |
Absolut Maksimum Penilaian (di T C =25°C kecuali jika tidak tentukan )
EN
