GD200MLY120C2S,3-tahap ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

337

200

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

400

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

1162

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

200

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

400

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

200

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

400

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=200A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=200A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

4.0

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.58

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

150

n

t r

Masa naik

32

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

330

n

t f

Waktu kejatuhan

93

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

11.2

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

11.3

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

161

n

t r

Masa naik

37

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

412

n

t f

Waktu kejatuhan

165

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

19.8

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

17.0

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

n

t r

Masa naik

43

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

433

n

t f

Waktu kejatuhan

185

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

21.9

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

19.1

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

17.6

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

228

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

7.7

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

31.8

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

238

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

13.8

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

36.6

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

247

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

15.2

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

17.6

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

228

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

7.7

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

31.8

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

238

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

13.8

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

36.6

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

247

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

15.2

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

δR/R

Pengecualian dari R 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R thJC

Sambungan-ke-Kotak (setiap T 1-T4 IGBT)

Sambungan-ke-Kotak (setiap D1-D4 Di ode)

Sambungan-ke-Kotak (setiap D5,D6 Dio de)

0.129

0.237

0.232

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per T1-T4 IGBT)

Kotak-ke-Penyerap Haba (setiap D1-D4 Diode)

Kes-ke-Penyerap Haba (mengikut D5,D6 Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.073

0.134

0.131

0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

G

Berat dari Modul

340

g