GD1200SGT120A3S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

PERIHAL

GD1200SGT120A3S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25℃

@ T C=80℃

2100

1200

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

2400

A

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

1200

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

2400

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175℃

7.61

kw

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Pemasangan Tork

Skru Terminal Isyarat:M4

1.8 hingga 2.1

Skru Terminal Kuasa:M8

8.0 hingga 10

N.M

Skru Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

T j =25℃

1200

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=48mA ,V CE =V GE , T j =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC= 1200A,V GE =15V, T j =25℃

1.70

2.15

V

IC= 1200A,V GE =15V, T j =125℃

2.00

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=1200A,

R Gon =1.8Ω, R Goff =0,62Ω, V GE = ± 15V,T j =25℃

550

n

t r

Masa naik

230

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

830

n

t f

Waktu kejatuhan

160

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

/

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

/

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C= 1200A,

R Gon = 1.8Ω,R Goff =0,62Ω, V GE = ± 15V,T j =125℃

650

n

t r

Masa naik

240

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

970

n

t f

Waktu kejatuhan

190

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

246

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

189

mJ

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

85.5

nF

Coes

Kapacitans Output

4.48

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

3.87

nF

ISC

Data SC

t P≤10μs,V GE =15 V,

T j =125℃,

V CC =900V, V CEM ≤1200V

4800

A

R Gint

Gerbang Dalaman

Rintangan

1.9

ω

LCE

Induktans Terbuang

15

nH

R CC’+EE’

Kepala Modul

Rintangan,

Terminal ke cip

0.10

mΩ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

IF = 1200A

T j =25℃

1.65

2.05

V

T j =125℃

1.65

S r

Dipulihkan

Cas

IF = 1200A,

V R =600V,

R Gon =0,6Ω,

V GE =-15V

T j =25℃

112

μC

T j =125℃

224

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

T j =25℃

850

A

T j =125℃

1070

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

T j =25℃

48.0

mJ

T j =125℃

96.0

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

19.7

K/kW

R θ JC

Junction-to-Case (per D iode)

31.3

K/kW

R θ CS

Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif app lied)

8

K/kW

Berat

Berat Modul

1050

g