GD400HFU120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Penerangan

GD400HFU120C2S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

660

400

A

Saya CM (1)

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

800

A

Saya F

Arus Terus Diode

400

A

Saya FM (1)

Arus Muka Maksimum Diode =0V,

800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 150℃

2660

W

T SC

Masa Tahan Litar Pintas @ T j =125 ℃

10

μs

T j

Suhu Sambungan Maksimum

150

℃

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Tork Pemasangan

Skru Terminal Kuasa:M6

2.5 hingga 5.0

N.M

Pemasangan Skru:M6

3.0 hingga 6.0

N.M

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

T j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter

Voltan

Saya C =4.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃

4.4

4.9

6.0

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE =15V, T j =25 ℃

3.10

3.60

V

Saya C =400A,V GE =15V, T j = 125℃

3.45

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, R G = 2.2Ω,V GE = ± 15 V, T j =25 ℃

680

n

t r

Masa naik

142

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

638

n

t f

Waktu kejatuhan

99

n

E pada

Penghidupan Suis

Kerugian

19.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

32.5

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, R G = 2.2Ω,V GE = ± 15 V, T j = 125℃

690

n

t r

Masa naik

146

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

669

n

t f

Waktu kejatuhan

108

n

E pada

Penghidupan Suis

Kerugian

26.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

36.7

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

33.7

nF

C oes

Kapacitans Output

2.99

nF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.21

nF

Saya SC

Data SC

T P ≤ 10μs,V GE =15 V, T j =25 ℃ ,

V CC =600V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

R Gint

Resis Dalaman Pintu tance

0.5

ω

L CE

Induktans Terbuang

18

nH

R CC ’+ EE ’

Resistans Pangkalan Modul ce, Terminal ke cip

T C =25 ℃

0.32

m ω

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =400A

T j =25 ℃

1.95

2.35

V

T j = 125℃

1.85

Q r

Caj Dipulihkan

Saya F =400A,

V R =600 V,

di/dt=-2850A/μs, V GE =- 15V

T j =25 ℃

24.1

μC

T j = 125℃

44.3

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

T j =25 ℃

220

A

T j = 125℃

295

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

T j =25 ℃

13.9

mJ

T j = 125℃

24.8

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

R θ JC

Sambungan-ke-Kes (per IG) BT)

0.047

K/W

R θ JC

Junction-to-Case (per D Iode)

0.096

K/W

R θ CS

Kes-ke-Penyerapan (Minyak pelincir konduktif a pplied)

0.035

K/W

G

Berat Modul

350

g