GD200HFX120C2S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25o C

@ T C =90o C

297

200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

937

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

400

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

Saya C =200A,V GE =15V, T j =125o C

2.00

Saya C =200A,V GE =15V, T j =150o C

2.05

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.0

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

18.6

nF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.52

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

1.40

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

120

n

t r

Masa naik

26

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

313

n

t f

Waktu kejatuhan

88

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

8.96

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

10.7

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

129

n

t r

Masa naik

30

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

391

n

t f

Waktu kejatuhan

157

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

15.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

16.1

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

129

n

t r

Masa naik

34

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

411

n

t f

Waktu kejatuhan

175

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

17.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

18.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

720

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

18.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

239

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

8.08

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

33.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

250

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

14.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

38.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

259

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

15.9

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

15

nH

R CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.160

0.206

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.036

0.046

0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi Modul

300

g