Modul IGBT, GD1000HTA75P6HT Starpower

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

750

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya CN

Pelabur Cu yang dilaksanakan rental

1000

A

Saya C

Arus Pengumpul @ T F =125o C

450

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

2000

A

P D

Pembahagian Kuasa Maksimum ation @ T F =75o C T vj =175o C

1282

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

750

V

Saya FN

Pelabur Cu yang dilaksanakan rental

1000

A

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

450

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

2000

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu persimpangan operasi berterusan

Untuk 10 saat dalam tempoh 30 saat, kejadian maksimum 3000 kali sepanjang hayat

-40 hingga +150 +150 hingga +175

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

d Creep

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

9.0 9.0

mm

d Jelas

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

4.5 4.5

mm

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =450A,V GE =15V, T vj =25o C

1.10

1.35

V

Saya C =450A,V GE =15V, T vj =150o C

1.10

Saya C =450A,V GE =15V, T vj =175o C

1.10

Saya C =1000A,V GE =15V, T vj =25o C

1.40

Saya C =1000A,V GE =15V, T vj =175o C

1.60

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =12.9mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.4

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.2

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

C oes

Kapacitans Output

1.50

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.35

nF

Q G

Bayaran pintu

V CE =400V,I C =450A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C =450A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25o C

244

n

t r

Masa naik

61

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

557

n

t f

Waktu kejatuhan

133

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

11.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

22.8

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C =450A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =150o C

260

n

t r

Masa naik

68

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

636

n

t f

Waktu kejatuhan

226

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

16.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

32.2

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C =450A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =175o C

264

n

t r

Masa naik

70

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

673

n

t f

Waktu kejatuhan

239

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

19.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

33.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

T vj =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

Saya F =450A,V GE =0V,T vj =150o C

1.35

Saya F =450A,V GE =0V,T vj =175o C

1.30

Saya F =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

Saya F =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.80

Q r

Caj Dipulihkan

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L S =24nH ,T vj =25o C

18.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

303

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

3.72

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L S =24nH ,T vj =150o C

36.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

376

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

8.09

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L S =24nH ,T vj =175o C

40.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

383

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

9.01

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi R 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

8

nH

R CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.75

mΩ

p

Tekanan Maksimum dalam Kerangka Pendinginan cute

T papan asas <40o C

T papan asas 40o C

(tekanan relatif)

2.5 2.0

bar

R thJF

Sambungan -kepada -Penyejukan Cecair (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D iode) △V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skru M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Berat bagi Modul

750

g