GD150HFU120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C@ T C=85o C

241

150

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

300

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =150o C

1262

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

150

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

300

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=150A,V GE =15V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V GE =15V, T vj =125o C

3.60

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.50

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.60

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=150A, R G=6.8Ω,Ls=48nH, V GE = ± 15V,T vj =25o C

74

n

t r

Masa naik

92

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

401

n

t f

Waktu kejatuhan

31

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

19.0

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

3.09

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=150A, R G=6.8Ω, Ls=48nH, V GE = ± 15V,T vj =125o C

61

n

t r

Masa naik

95

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

444

n

t f

Waktu kejatuhan

47

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

22.5

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

3.99

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V GE =-15V, Ls =48nH ,T vj =25o C

13.7

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

91

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

4.01

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V GE =-15V, Ls =48nH ,T vj =125o C

22.1

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

111

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

6.65

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

30

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

0.35

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.099 0.259

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.028 0.072 0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g