GD800HFA120C2S_B20 ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

Voltaj Gerbang-Emitor Transien

±20 ±30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =95o C

1280

800

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

1600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =175o C

3191

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

Saya F

Arus Muka Depan Diod Berterusan ent

800

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

1600

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +175

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C = 800A,V GE =15V, T vj =25o C

1.30

1.75

V

Saya C = 800A,V GE =15V, T vj =125o C

1.45

Saya C = 800A,V GE =15V, T vj =150o C

1.50

Saya C = 800A,V GE =15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =32.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

0.38

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

156

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

1.10

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-8...+15V

10.3

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

338

n

t r

Masa naik

174

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

1020

n

t f

Waktu kejatuhan

100

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

65.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

88.8

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =125o C

398

n

t r

Masa naik

203

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

1140

n

t f

Waktu kejatuhan

183

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

96.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

109

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

413

n

t r

Masa naik

213

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

1140

n

t f

Waktu kejatuhan

195

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

105

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

113

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

419

n

t r

Masa naik

223

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

1142

n

t f

Waktu kejatuhan

205

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

110

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

115

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤8μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3300

A

Saya SC

Data SC

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F = 800A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Saya F = 800A,V GE =0V,T vj =125o C

1.85

Saya F = 800A,V GE =0V,T vj =150o C

1.85

Saya F = 800A,V GE =0V,T vj =175o C

1.85

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25o C

28.6

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

311

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

13.9

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125o C

56.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

378

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

23.7

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj =150o C

66.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

395

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

26.7

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj =175o C

72.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

403

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

28.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.42

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.047 0.083

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.031 0.055 0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi Modul

320

g