GD600HFX120C2SAD_B20 , Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

Voltaj Gerbang-Emitor Transien

±20 ±30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

1096

600

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

1200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =175o C

3947

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

Saya F

Arus Muka Depan Diod Berterusan ent

600

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

1200

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =600A,V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

Saya C =600A,V GE =15V, T vj =125o C

2.05

Saya C =600A,V GE =15V, T vj =150o C

2.15

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.25

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

64.7

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

1.88

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

5.38

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, R G = 1.5Ω, L S =50nH , V GE = ± 15V,T vj =25o C

314

n

t r

Masa naik

105

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

527

n

t f

Waktu kejatuhan

151

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

63.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

53.3

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, R G = 1.5Ω, L S =50nH , V GE = ± 15V,T vj =125o C

350

n

t r

Masa naik

117

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

591

n

t f

Waktu kejatuhan

315

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

96.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

72.2

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, R G = 1.5Ω, L S =50nH , V GE = ± 15V,T vj =150o C

359

n

t r

Masa naik

120

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

604

n

t f

Waktu kejatuhan

328

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

105

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

75.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =25o C

1.65

2.10

V

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=5130A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =25o C

38.6

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

313

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

10.8

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=4440A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =125o C

76.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

368

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

22.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=4240A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =150o C

88.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

387

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

26.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.42

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.038 0.068

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.031 0.056 0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi Modul

320

g