GD150HFX170C1S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C@ T C=95o C

229

150

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

300

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

815

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1700

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

150

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

300

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=150A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.30

V

IC=150A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=150A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=6.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

5.0

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.44

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=150A, R G=3.3Ω,V GE =±15V, LS =70nH ,T j =25o C

303

n

t r

Masa naik

75

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

417

n

t f

Waktu kejatuhan

352

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

42.3

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

25.3

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=150A, R G=3.3Ω,V GE =±15V, LS =70nH ,T j =125o C

323

n

t r

Masa naik

88

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

479

n

t f

Waktu kejatuhan

509

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

58.9

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

34.9

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=150A, R G=3.3Ω,V GE =±15V, LS =70nH ,T j =150o C

327

n

t r

Masa naik

90

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

498

n

t f

Waktu kejatuhan

608

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

65.6

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

40.2

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE =-15V LS =70nH ,T j =25o C

26.2

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

131

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

21.6

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE =-15V LS =70nH, T j =125o C

48.0

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

140

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

40.1

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE =-15V LS =70nH, T j =150o C

52.3

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

142

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

42.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

30

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

0.65

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.184 0.368

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.150 0.300 0.050

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

150

g