GD3600SGT120C4S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Penerangan

GD3600SGT120C4S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

Saya C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

4800

A

3600

Saya CM (1)

Arus Pengumpul Berdenyut t p = 1ms

7200

A

Saya F

Arus Terus Diode

3600

A

Saya FM

Arus Muka Maksimum Diode =0V,

7200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =17 5℃

16.7

kw

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

℃

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pemasangan

Terminal Isyarat Skrin:M4

1.8 hingga 2.1

Skru Terminal Kuasa:M8

8.0 hingga 10

N.M

Tork

Pemasangan Skru:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

T j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter

Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter

Voltan

Saya C =145 mA ,V CE = V GE ,T j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =3600A,V GE =15V, T j =25 ℃

1.70

2.15

V

Saya C =3600A,V GE =15V, T j =125 ℃

2.00

2.45

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

35.0

μC

R Gint

Resistor Gate Dalaman

T j =25 ℃

0.5

ω

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =3600A, R Gon =0.8Ω,

R Goff =0.2Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 ℃

600

n

t r

Masa naik

235

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

825

n

t f

Waktu kejatuhan

145

n

E pada

Hidupkan Kerugian Penukaran

/

mJ

E dimatikan

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

/

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =3600A, R Gon =0.8Ω,

R Goff =0.2Ω,

V GE = ± 15V,T j =125 ℃

665

n

t r

Masa naik

215

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

970

n

t f

Waktu kejatuhan

180

n

E pada

Hidupkan Kerugian Penukaran

736

mJ

E dimatikan

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

569

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

258

nF

C oes

Kapacitans Output

13.5

nF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

11.7

nF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE =15V, T j =125 ℃ ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

14000

A

L CE

Induktans Terbuang

10

nH

R CC ’+ EE ’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

0.12

m ω

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =3600A

T j =25 ℃

1.65

2.15

V

T j =125 ℃

1.65

2.15

Q r

Caj Dipulihkan

Saya F =3600A,

V R =600V,

R Gon =0.8Ω,

V GE =- 15V

T j =25 ℃

360

μC

T j =125 ℃

670

Saya RM

Pemulihan Terbalik Semasa

T j =25 ℃

2500

A

T j =125 ℃

3200

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

T j =25 ℃

97

mJ

T j =125 ℃

180

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

9.0

K/kW

R θ JC

Junction-to-Case (per Dio de)

15.6

K/kW

R θ CS

Kes-ke-Sink

(Minyak pelincir konduktif digunakan, per M odul)

4

K/kW

Berat

Berat bagi Modul

2250

g