GD200SGU120C2S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

GD200SGU120C2S

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

320

200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1 ms

400

A

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan semasa @ T C =80 ℃

200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =1 50℃

1645

W

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

℃

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

℃

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Pemasangan Tork

Terminal Isyarat Skrin:M4

1.1 hingga 2.0

Skru Terminal Kuasa:M6

2.5 hingga 5.0

N.M

Skru Pemasangan:M6

3.0 hingga 5.0

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

T j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃

4.4

4.9

6.0

V

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, T j =25 ℃

3.10

3.55

V

Saya C =200A,V GE =15V, T j =125 ℃

3.45

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25 ℃

577

n

t r

Masa naik

120

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

540

n

t f

Waktu kejatuhan

123

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

16.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

12.0

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =125 ℃

609

n

t r

Masa naik

121

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

574

n

t f

Waktu kejatuhan

132

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

22.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

16.2

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

16.9

nF

C oes

Kapacitans Output

1.51

nF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.61

nF

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15 V,

T j =125 ℃, V CC =900V, V CEM ≤1200V

1800

A

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Kepala Modul

Rintangan,

Terminal ke cip

0.18

mΩ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =200A

T j =25 ℃

1.82

2.25

V

T j =125 ℃

1.92

Q r

Dipulihkan

Cas

Saya F =200A,

V R =600V,

R G =4.7Ω,

V GE =-15V

T j =25 ℃

13.1

μC

T j =125 ℃

26.1

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

T j =25 ℃

123

A

T j =125 ℃

172

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

T j =25 ℃

7.0

mJ

T j =125 ℃

12.9