Pengenalan ringkas
Modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 200A.
Ciri-ciri
- Teknologi NPT IGBT
- keupayaan litar pintas 10μs
- Kerugian pertukaran rendah
- Ketahanan yang tinggi dengan prestasi ultra pantas
- VCE(sat) dengan pekali suhu positif
- Kes induktans rendah
- Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
Pembolehubah Tipikal
- Bekalan kuasa mod switching
- Pemanasan induktif
- Pengimpal elektronik
Absolut Maksimum Penilaian T C =25℃ kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Penerangan |
GD200SGU120C2S |
Unit |
V CES |
Voltan kolektor-emiter |
1200 |
V |
V GES |
Voltan penyiaran pintu |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25℃
@ T C =80℃
|
320
200
|
A |
Saya CM |
Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms |
400 |
A |
Saya F |
Dioda berterusan ke hadapan semasa @ T C =80℃ |
200 |
A |
Saya FM |
Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms |
400 |
A |
P D |
Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =150℃ |
1645 |
W |
T jmax |
Suhu Sambungan Maksimum |
150 |
℃ |
T STG |
Suhu penyimpanan Julat |
-40 hingga +125 |
℃ |
V ISO |
Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
Pemasangan Tork |
Terminal Isyarat Skrin:M4 |
1.1 hingga 2.0 |
|
Skru Terminal Kuasa:M6 |
2.5 hingga 5.0 |
N.M |
Skru Pemasangan:M6 |
3.0 hingga 5.0 |
|
Elektrik Ciri-ciri bagi IGBT T C =25℃ kecuali jika tidak dicatat
Ciri-ciri Off
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
V (BR )CES |
Kolektor-Pemancar
Voltan Runtuh
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
Saya CES |
Kolektor Potongan -Dimatikan
Semasa
|
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gate-Emitter Semasa |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Ciri-ciri On
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
V GE (th ) |
Ambang Gate-Emitter Voltan |
Saya C =2.0mA ,V CE =V GE , T j =25℃ |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
V |
|
V CE(sat)
|
Pengumpul kepada Emitter
Voltan Jenuh
|
Saya C =200A,V GE =15V, T j =25℃ |
|
3.10 |
3.55 |
V
|
Saya C =200A,V GE =15V, T j =125℃ |
|
3.45 |
|
Ciri-ciri Switching
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25℃
|
|
577 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
120 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
540 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
123 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran Kerugian |
|
16.3 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis Kerugian |
|
12.0 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =125℃
|
|
609 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
121 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
574 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
132 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran Kerugian |
|
22.0 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis Kerugian |
|
16.2 |
|
mJ |
C ies |
Kapasiti input |
V CE =30V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
16.9 |
|
nF |
C oes |
Kapacitans Output |
|
1.51 |
|
nF |
C res |
Pemindahan Balik
Kapasitans
|
|
0.61 |
|
nF |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤10μs,V GE =15 V,
T j =125℃,V CC =900V, V CEM ≤1200V
|
|
1800
|
|
A
|
L CE |
Induktans Terbuang |
|
|
|
20 |
nH |
|
R CC’+EE’
|
Kepala Modul
Rintangan,
Terminal ke cip
|
|
|
0.18
|
|
mΩ
|
Elektrik Ciri-ciri bagi Dioda T C =25℃ kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
V F |
Dioda Maju
Voltan
|
Saya F =200A |
T j =25℃ |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125℃ |
|
1.92 |
|
Q r |
Dipulihkan
Cas
|
Saya F =200A,
V R =600V,
R G =4.7Ω,
V GE =-15V
|
T j =25℃ |
|
13.1 |
|
μC |
T j =125℃ |
|
26.1 |
|
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
T j =25℃ |
|
123 |
|
A |
T j =125℃ |
|
172 |
|
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
T j =25℃ |
|
7.0 |
|
mJ |
T j =125℃ |
|
12.9 |
|
Ciri-ciri Terma ikat sosial
Simbol |
Parameter |
- TIP. |
Max. |
Unit |
R θ JC |
Junction-to-Case (per IGB T) |
|
0.076 |
K/W |
R θ JC |
Junction-to-Case (per D Iode) |
|
0.128 |
K/W |
R θ CS |
Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif app lied) |
0.035 |
|
K/W |
Berat |
Berat Modul |
300 |
|
g |
EN
