GD150PIY120C6SN,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

292

150

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

300

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

1111

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

150

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

300

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1600

V

IO

Arus Keluaran Purata 5 0Hz/60Hz,gelombang sinus

150

A

IFSM

Arus Lonjakan Maju t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-nilai,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2s

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

200

100

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

200

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

833

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

50

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

100

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum (inverter,pembrem) Suhu Sambungan Maksimum (rectifier)

175

150

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=150A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=150A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=150A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=6.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.0

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

15.5

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.44

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

1.17

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

96

n

t r

Masa naik

30

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

255

n

t f

Waktu kejatuhan

269

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

8.59

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

12.3

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =125o C

117

n

t r

Masa naik

37

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

307

n

t f

Waktu kejatuhan

371

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

13.2

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

16.8

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =150o C

122

n

t r

Masa naik

38

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

315

n

t f

Waktu kejatuhan

425

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

14.8

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

18.1

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

IF =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V GE =-15V T j =25o C

8.62

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

177

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

5.68

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V GE =-15V T j =125o C

16.7

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

191

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

10.2

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V GE =-15V T j =150o C

19.4

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

196

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

12.1

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IC=150A, T j =150o C

1.00

V

IR

Arus terbalik

T j =150o C,V R =1600V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=100A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=100A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=100A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=4.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

7.5

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.29

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.08

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=100A, R G= 1.6Ω,V GE =±15V, T j =25o C

170

n

t r

Masa naik

32

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

360

n

t f

Waktu kejatuhan

86

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

5.90

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

6.05

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=100A, R G= 1.6Ω,V GE =±15V, T j =125o C

180

n

t r

Masa naik

42

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

470

n

t f

Waktu kejatuhan

165

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

9.10

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

9.35

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=100A, R G= 1.6Ω,V GE =±15V, T j =150o C

181

n

t r

Masa naik

43

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

480

n

t f

Waktu kejatuhan

186

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

10.0

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

10.5

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =25o C

6.3

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

62

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

1.67

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =125o C

10.1

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

69

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

2.94

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =150o C

11.5

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

72

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

3.63

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

40

nH

R CC’+EE’ R AA ’+CC ’

Rintangan Pemimpin Modul nce,Penghujung ke Cip

4.00 3.00

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT -inverter ) Sambungan-ke-Kes (setiap DIODE-inverter er) Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-rectif ier) Sambungan -kepada -Kes (perIGBT -brake )

Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

R thCH

Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -inverter )Kes-ke-Penyerap Haba (setiap Diod-i nverter) Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-re ifier) Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -brake )

Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Dio de-brake) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

M

Tork Pemasangan, Skrin:M5

3.0

6.0

N.M