GD150HFU120C8SD ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C@ T C=85o C

238

150

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

300

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =150o C

1237

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

150

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

300

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=150A,V GE =15V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V GE =15V, T vj =125o C

3.60

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.50

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.60

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=150A, R G=6.8Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =25o C

183

n

t r

Masa naik

73.8

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

438

n

t f

Waktu kejatuhan

33.0

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

12.8

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

5.31

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=150A, R G=6.8Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =125o C

185

n

t r

Masa naik

74

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

476

n

t f

Waktu kejatuhan

44.5

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

15.5

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

7.74

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V, T vj =25o C

11.9

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

113

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

4.02

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V, T vj =125o C

22.5

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

139

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

8.58

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.101 0.257

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.028 0.071 0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g