Semua Kategori
Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Laman Utama/Produk/Modul IGBT/Modul IGBT 1200V

GD450HFX120C6SA, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX120C6SA
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pengenalan ringkas

Modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 450A.

Ciri-ciri

  • Rendah V CE (sat ) Parit IGBT teknologi
  • 10μs keupayaan litar pintas ility
  • V CE (sat ) dengan positif suhu pepejal
  • Maksimum suhu persimpangan 175o C
  • Rendah induktans kes
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti-paralel
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Hibrid dan elektrik v hicle
  • Inverter untuk motor d rIV
  • Kuasa yang tidak terganggu r bekalan

Absolut Maksimum Penilaian T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

680

450

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

900

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

2173

W

Dioda

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

450

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

900

A

Modul

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

IGBT Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=450A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=450A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=450A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC= 11.3mA,V CE =V GE ,T j =25o C

5.2

5.8

6.4

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.7

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

46.6

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.31

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

3.50

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=450A, R G= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

203

n

t r

Masa naik

64

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

491

n

t f

Waktu kejatuhan

79

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

16.1

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

38.0

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=450A, R G= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

235

n

t r

Masa naik

75

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

581

n

t f

Waktu kejatuhan

109

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

27.8

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

55.5

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=450A, R G= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

235

n

t r

Masa naik

75

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

621

n

t f

Waktu kejatuhan

119

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

30.5

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

61.5

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

Dioda Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju

Voltan

IF =450A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =450A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =450A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C

55.2

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

518

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

26.0

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 125o C

106

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

633

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

47.5

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 150o C

121

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

661

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

53.9

mJ

NTC Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

δR/R

Pengecualian dari R 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Modul Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

1.10

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.069

0.108

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.030

0.046

0.009

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g

Gambaran Ringkas

image(c537ef1333).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Produk Berkaitan

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000