GD720HTA120P6HLT,Modul IGBT,STARPOWER

Pengenalan

Pendahuluan ringkas

Modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 720A.

Ciri-ciri

Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
Kerugian pertukaran rendah
kemampuan litar pendek 4μs
VCE(sat) dengan pekali suhu positif
Suhu sambungan maksimum 175oC
Kes induktans rendah
Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
Tapak tembaga pinfin berasingan menggunakan teknologi Si3N4AMB

Pembolehubah Tipikal

Aplikasi automotif
Kenderaan hibrid dan elektrik
Inverter untuk pemacu motor

Absolut Maksimum Penilaian T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya CN	Pelabur Cu yang dilaksanakan rental	720	A
Saya C	Arus Pengumpul @ T F =65 o C	600	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms	1440	A
P D	Pembahagian Kuasa Maksimum ation @ T F =75 o C T vj = 175 o C	1204	W

Dioda

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V RRM	Voltan terbalik puncak berulang gE	1200	V
Saya FN	Pelabur Cu yang dilaksanakan rental	720	A
Saya F	Dioda berterusan ke hadapan Cu rental	600	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms	1440	A

Modul

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
T vjmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	o C
T vjop	Suhu persimpangan operasi berterusan Untuk 10s dalam satu tempoh 30s, kejadian maksimum 3000 kali sepanjang hayat saya	-40 hingga +150 +150 hingga +175	o C
T STG	Julat Suhu Penyimpanan	-40 hingga +125	o C
V ISO	Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min	3000	V

IGBT Ciri-ciri T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =600A,V GE =15V, T vj =25 o C		1.50		V
		Saya C =600A,V GE =15V, T vj =150 o C		1.80
		Saya C =600A,V GE =15V, T vj = 175 o C		1.85
		Saya C =720A,V GE =15V, T vj =25 o C		1.60
		Saya C =720A,V GE =15V, T vj = 175 o C		2.05
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter Voltan	Saya C = 15.6 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C		6.0		V
Saya CES	Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Rintangan Dalaman Gate			1.67		ω
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		48.7		nF
C oes	Kapacitans Output			1.55		nF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans			0.26		nF
Q G	Bayaran pintu	V CE =800V,I C =600A, V GE =-8...+15V		3.52		μC
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =800V,I C =600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L S =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj =25 o C		208		n
t r	Masa naik			65		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			505		n
t f	Waktu kejatuhan			104		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			77.7		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			62.2		mJ
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =800V,I C =600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L S =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj =150 o C		225		n
t r	Masa naik			75		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			567		n
t f	Waktu kejatuhan			191		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			110		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			83.4		mJ
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =800V,I C =600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L S =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj = 175 o C		226		n
t r	Masa naik			77		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			583		n
t f	Waktu kejatuhan			203		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			118		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			85.9		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤4μs, V GE =15V, T vj = 175 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		2600		A

Dioda Ciri-ciri T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju Voltan	Saya F =600A,V GE =0V,T vj = 2 5o C		1.95		V
		Saya F =600A,V GE =0V,T vj =150 o C		1.95
		Saya F =600A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.90
		Saya F =720A,V GE =0V,T vj = 2 5o C		2.05
		Saya F =720A,V GE =0V,T vj = 175 o C		2.05
Q r	Caj Dipulihkan	V R =800V,I F =600A, -di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =25 o C		44.3		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			346		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			16.2		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V R =800V,I F =600A, -di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =150 o C		73.4		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			385		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			27.8		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V R =800V,I F =600A, -di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj = 175 o C		80.7		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			392		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			30.7		mJ

NTC Ciri-ciri T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
R 25	Rintangan bertaraf			5.0		kΩ
∆R/R	Pengecualian bagi R 100	T C =100 o C r 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Kuasa Perosakan				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

Modul Ciri-ciri T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	Unit
L CE	Induktans Terbuang		8		nH
R CC’+EE’	Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip		0.75		mΩ
p	Tekanan Maksimum dalam Kerangka Pendinginan cute T papan asas <40 o C T papan asas >40 o C (tekanan relatif)			2.5 2.0	bar
R thJF	Sambungan -kepada -Penyejukan Cecair (perIGBT )Sambungan-ke-Cecair Penyejuk (setiap Di ode) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C		0.072 0.104	0.083 0.120	K/W
M	Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skru M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Berat bagi Modul		750		g