Īsa ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 600A.
Funkcijas
-
Zema V CE (= 40 ) Grīdas IGBT tehnoloģijas
-
10μs īslaicīgas saknes kapa bilitāte
-
V CE (= 40 ) ar pozitīvs temperatūra koeficients
-
Maksimāli junkcijas temperatūra 175o C
-
Zema induktivitāte gadījums
-
Ātra & maiga atpakaļatgriešanās anti-paralēlais FWD
-
Izolēta vara bāzes plāksne mums hPS DBC tehnoloģija
Tipisks Lietošanas jomas
-
Inverters ar motora dzinēju
-
AC un DC serva piedziņa pastiprinātājs
-
Neapstrādāts er piedāvājums
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums
Pārējo vārtu emitenta spriegums
|
±20
±30
|
V |
IC |
Kolektora strāva @ T C=25o C
@ T C=90o C
|
873
600
|
A |
ICm |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
1200 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
2727 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
IF |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
600 |
A |
IFM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
1200 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
IC= 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
IC= 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
2.00 |
|
IC= 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.05 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
IC=24.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ITips |
Kolektors Griezts —Izslēgt
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
I=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
0.7 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz,
V ĢEN =0V
|
|
55.9 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
1.57 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
4.20 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 600A, R G=1,5Ω
l S =34nH, V ĢEN =±15V,T j =25o C
|
|
109 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
62 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
469 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
68 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
42.5 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
46.0 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 600A, R G=1,5Ω,
LS =34nH ,
V ĢEN =±15V,T j =125o C
|
|
143 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
62 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
597 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
107 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
56.5 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
70.5 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 600A, R G=1,5Ω,
LS =34nH ,
V ĢEN =±15V,T j =150o C
|
|
143 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
68 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
637 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
118 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
61.2 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
77.8 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC dati
|
t P≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
IF = 600A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
IF = 600A,V ĢEN =0V,T j =125o C |
|
2.05 |
|
IF = 600A,V ĢEN =0V,T j =150o C |
|
2.10 |
|
J r |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 600A,
-di/dt=4300A/μs,V ĢEN =- 15 V, LS =34nH ,T j =25o C
|
|
58.9 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
276 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
20.9 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 600A,
-di/dt=4300A/μs,V ĢEN =- 15 V, LS =34nH ,T j =125o C
|
|
109 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
399 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
41.8 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 600A,
-di/dt=4300A/μs,V ĢEN =- 15 V, LS =34nH ,T j =150o C
|
|
124 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
428 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
48.5 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
|
0.35 |
|
mΩ |
R tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar korpusu (par Di) ode)
|
|
|
0.055
0.089
|
K/W |
|
R tCH
|
Izmērs: IGBT)
Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode)
Izmērs: (atkārtojiet)
|
|
0.032
0.052
0.010
|
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
300 |
|
g |
EN
