Īss ievads
Tiristora/Dioda modulis, MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,Gaisa dzesēšana ，tECHSEM.
VRRM,VDRM |
Tips un kontūra |
600V |
MTx800-06-410F3 |
MFx800-06-410F3 |
800V |
MTx800-08-410F3 |
MFx800-08-410F3 |
1000V |
MTx800-10-410F3 |
MFx800-10-410F3 |
1200V |
MTx800-12-410F3 |
MFx800-12-410F3 |
1400V |
MTx800-14-410F3 |
MFx800-14-410F3 |
1800V |
MTx800-16-410F3 |
MFx800-16-410F3 |
1800V |
MTx800-18-410F3 |
MFx800-18-410F3 |
1800V |
MT800-18-410F3G |
|
MTx ir jebkura tipa MTC, MTA, MTK
MFx ir jebkura tipa e no MFC, Ārlietu ministrijai, MFK
Īpašības
- Izolēta montāžas bāze 3000V~
- Spiediena kontaktu tehnoloģija ar
- Palielinātu jaudas ciklu spēju
- Telpas un svara ietaupījums
Tipiskas lietošanas metodes
- AC/DC motoru vadītāji
- Dažādi taisngrieži
- Tiešsaistes pieslēgums PWM invertai
|
Sīkāku informāciju
|
Iemesls
|
Testēšanas apstākļi
|
Tj( °C ) |
Vērtību |
Drošības un drošības politika
|
Min |
Tips |
Max |
IT(AV) |
Vidējā ieslēgšanās strāva |
180° pusviļņa 50Hz
Vienkārša atdzesēta puse, TC=70 °C
|
125
|
|
|
800 |
A |
IT ((RMS) |
RMS aktīvā strāva |
|
|
1256 |
A |
Idrm Irrm |
Atkārtota maksimuma strāva |
pie VDRM pie VRRM |
125 |
|
|
45 |
mA |
ITSM |
Pārsprieguma ieslēgšanās strāva |
VR=60%VRRM,t=10ms pussinusa, |
125 |
|
|
22.0 |
kA |
I2t |
I2t saplūšanas koordinācijai |
125 |
|
|
2420 |
103A2s |
VTO |
Sīkāko spiedienu |
|
125
|
|
|
0.80 |
V |
rt |
Ieslēgšanās slīpuma pretestība |
|
|
0.24 |
mΩ |
VTM |
Maksimālais ieslēgšanās spriegums |
ITM=2400A |
25 |
|
|
1.68 |
V |
dv/dt |
Kritiskā izslēgšanās sprieguma pieauguma ātrums |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Sadarbības stāvokļa strāvas kritiskā pieauguma ātrums |
Vārsta avots 1.5A
tr ≤0.5μs Atkārtota
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Vārsta aktivizēšanas strāva |
VA=12V, IA=1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Vārsta aktivizēšanas spriegums |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Turēšanas strāva |
10 |
|
200 |
mA |
IL |
Bloķēšanas strāva |
|
|
1500 |
mA |
VGD |
Neaktivizējošais vārsta spriegums |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Siltuma pretestība no savienojuma līdz korpusam |
Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai |
|
|
|
0.048 |
°C )/W |
Rth(c-h) |
Siltuma pretestība korpuss uz siltuma izkliedētāju |
Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai |
|
|
|
0.020 |
°C )/W |
VISO |
Izolācijas spriegums |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA (max) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM
|
Slēguma savienojuma griezes moments ((M12) |
|
|
12.0 |
|
16.0 |
N·m |
Pievienošanas griezes moments ((M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
TVj |
Junkcijas temperatūra |
|
|
-40 |
|
125 |
°C ) |
TSTG |
Uzglabāšanas temperatūra |
|
|
-40 |
|
125 |
°C ) |
Wt |
Svars |
|
|
|
3310 |
|
g |
Kontūra |
410F3 |
EN
