GD200HFF120C2S, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @ T C=25o C

@ T C=85o C

294

200

A

ICm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

400

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175o C

1056

V

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

IF

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

200

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 mINŪTE

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

IC=200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125o C

2.40

IC=200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

2.55

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=5.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ITips

Kolektors Griezts —Izslēgt

Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25o C

1.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

3.75

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

20.7

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.58

mHz

J G

NF

V ĢEN =- 15...+15V

1.55

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V ĢEN =±15V, T j =25o C

374

ns

t r

Atkāpšanās laiks

50

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

326

ns

t f

Nolieku laiks

204

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

13.8

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

10.4

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V ĢEN =±15V, T j = 125o C

419

ns

t r

Atkāpšanās laiks

63

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

383

ns

t f

Nolieku laiks

218

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

20.8

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

11.9

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150o C

419

ns

t r

Atkāpšanās laiks

65

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

388

ns

t f

Nolieku laiks

222

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

22.9

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

11.9

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

IF =200A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

IF =200A,V ĢEN =0V,T j = 125o C

1.90

IF =200A,V ĢEN =0V,T j = 150o C

1.90

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25o C

10.2

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

90

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

3.40

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

132

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

9.75

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

142

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

11.3

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

15

nH

R CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.25

mΩ

R tJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.142

0.202

K/W

R tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: (atkārtojiet)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g