GD720HTA120P6HT,IGBT Modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I CN

Izmantotais kolektors Cu īr

720

A

I C

Kolektora strāva @ T F =65o C

600

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1440

A

P D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75o C T vj =175o C

1204

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ģEN

1200

V

I FN

Izmantotais kolektors Cu īr

720

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

600

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1440

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Par 10s laikposmā 30 gadu vecumā, gadījums maksimāli 3000 reizes uz ilgāku laiku es

-40 līdz +150 +150 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.50

V

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

1.80

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

1.85

I C =720A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.60

I C =720A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

2.05

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =15.6mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

6.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.67

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

48.7

mHz

C ejs

Izvades jauda

1.55

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.26

mHz

Q G

NF

V CE =800V,I C =600A, V ĢEN =-8...+15V

3.52

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =800V,I C = 600A,

R Gons =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, Garums S =24nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T vj =25o C

208

ns

t r

Atkāpšanās laiks

65

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

505

ns

t f

Nolieku laiks

104

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

77.7

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

62.2

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =800V,I C = 600A,

R Gons =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, Garums S =24nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T vj =150o C

225

ns

t r

Atkāpšanās laiks

75

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

567

ns

t f

Nolieku laiks

191

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

110

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

83.4

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =800V,I C = 600A,

R Gons =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, Garums S =24nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T vj =175o C

226

ns

t r

Atkāpšanās laiks

77

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

583

ns

t f

Nolieku laiks

203

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

118

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

85.9

mJ

I SC

SC dati

t P ≤4μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.95

V

I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.95

I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.90

I F =720A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

2.05

I F =720A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

2.05

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =800V,I F = 600A,

-di\/dt=8281A\/μs, L S =24n H, V ĢEN =-8V, T vj =25o C

44.3

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

346

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

16.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V ĢEN =-8V, T vj =150o C

73.4

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

385

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

27.8

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V ĢEN =-8V, T vj =175o C

80.7

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

392

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

30.7

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Garums CE

Neatklāta induktantība

8

nH

R CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.75

mΩ

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

T atbalsta plāksne <40o C

T atbalsta plāksne 40o C

(relatīvā spiediena)

2.5 2.0

bars

R tJF

Savienojums -uz -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojuma-dzesēšanas šķidrums (par Di) ode) △V/ △t=10,0 dM 3/min ,T F =75o C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars of Modulis

750

g