GD450HFX120C2SA,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 o C @ T C =100 o C

704

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

900

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 o C

2307

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

900

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C

1.70

2.15

V

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 o C

1.95

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 o C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 18,0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.7

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

46.6

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.31

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15...+15V

3.50

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, R G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, LS =45 nH ,T vj =25 o C

284

ns

t r

Atkāpšanās laiks

78

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

388

ns

t f

Nolieku laiks

200

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

45.0

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

33.4

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, R G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, LS =45 nH ,T vj =125 o C

288

ns

t r

Atkāpšanās laiks

86

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

456

ns

t f

Nolieku laiks

305

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

60.1

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

48.4

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, R G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, LS =45 nH ,T vj = 150 o C

291

ns

t r

Atkāpšanās laiks

88

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

472

ns

t f

Nolieku laiks

381

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

63.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

52.1

mJ

I SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C

1.90

2.35

V

I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =125 o C

2.00

I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj = 150 o C

2.05

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4500A/μs,V ĢEN =-15V, LS =45 nH ,T vj =25 o C

39.4

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

296

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

11.8

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4100A/μs,V ĢEN =-15V, LS =45 nH ,T vj =125 o C

58.6

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

309

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

17.7

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4000A/μs,V ĢEN =-15V, LS =45 nH ,T vj = 150 o C

83.6

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

330

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

20.3

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

R CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.35

mΩ

R tJC

Savienojums -uz -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.065 0.119

K/W

R tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.031 0.057 0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars of Modulis

300

g