Visas kategorijas
Iegūt piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
E-pasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa/Produkti/IGBT Modulis/IGBT Modulis 1200V

GD400HFQ120C2SD, IGBT modulis, STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFQ120C2SD
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īsa ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 400A.

Funkcijas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipisks Lietošanas jomas

  • Slēgšanas režīma barošanas avots
  • Induktīvā sildīšana
  • Elektriskās sārgmašīnas

Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @ T C=25o C

@ T C=100o C

769

400

A

ICm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C

2272

V

Dioda

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

400

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Modulis

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

2500

V

IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

IC=400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

2.25

IC=400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=16.00mA ,V CE =V ĢEN ,T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ITips

Kolektors Griezts —Izslēgt

Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,

T vj =25o C

1.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.5

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

43.2

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.18

mHz

J G

NF

V ĢEN =- 15...+15V

3.36

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=400A, R G=2Ω, LS =45nH ,

V ĢEN =±15V, T vj =25o C

288

ns

t r

Atkāpšanās laiks

72

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

314

ns

t f

Nolieku laiks

55

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

43.6

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

12.4

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=400A, R G=2Ω, LS =45nH ,

V ĢEN =±15V, T vj =125o C

291

ns

t r

Atkāpšanās laiks

76

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

351

ns

t f

Nolieku laiks

88

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

57.6

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

17.1

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=400A, R G=2Ω, LS =45nH ,

V ĢEN =±15V, T vj =150o C

293

ns

t r

Atkāpšanās laiks

78

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

365

ns

t f

Nolieku laiks

92

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

62.8

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

18.6

mJ

ISC

SC dati

t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1500

A

Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

IF =400A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =400A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.90

IF =400A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.95

J r

Atgūstas

Uzlāde

V R = 600V,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V ĢEN =- 15 V, LS =45nH ,T vj =25o C

38.8

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

252

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

11.2

mJ

J r

Atgūstas

Uzlāde

V R = 600V,I F =400A,

—di /dt =3860A/μs, V ĢEN =- 15 V, LS =45nH ,T vj =125o C

61.9

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

255

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

18.7

mJ

J r

Atgūstas

Uzlāde

V R = 600V,I F =400A,

—di /dt =3720A/μs, V ĢEN =- 15 V, LS =45nH ,T vj =150o C

75.9

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

257

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

20.5

mJ

Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

20

nH

R CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.35

mΩ

R tJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.066

0.115

K/W

R tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode)

Izmērs: (atkārtojiet)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g

Kontūra

image(c3756b8d25).png

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
E-pasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

Saistītais produkts

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūt piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
E-pasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
E-pasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000