Īss ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 400A.
Īpašības
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiska Lietojumi
- Slēgšanas režīma barošanas avots
- Induktīvā sildīšana
- Elektriskās sārgmašīnas
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Drošības un drošības politika |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
I C |
Kolektora strāva @ T C =25 o C
@ T C =100 o C
|
769
400
|
A |
I CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
800 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =1 75o C |
2272 |
Platums |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Drošības un drošības politika |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
I F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
400 |
A |
I FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
800 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Drošības un drošības politika |
T vjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T vjop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min. |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
I C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
I C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 o C |
|
2.25 |
|
I C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 o C |
|
2.35 |
|
V ĢEN (ts ) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
I C =16.00 mA ,V CE = V ĢEN ,T vj =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I Tips |
Kolektors Izgriežts -Izslēgt
Pašreiz
|
V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,
T vj =25 o C
|
|
|
1.0 |
mA |
I =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz |
V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
0.5 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V |
|
43.2 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
1.18 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
3.36 |
|
μC |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =400A, R G =2Ω, Garums S =45 nH ,
V ĢEN =±15V, T vj =25 o C
|
|
288 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
72 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
314 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
55 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
43.6 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
12.4 |
|
mJ |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =400A, R G =2Ω, Garums S =45 nH ,
V ĢEN =±15V, T vj =125 o C
|
|
291 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
76 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
351 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
88 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
57.6 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
17.1 |
|
mJ |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =400A, R G =2Ω, Garums S =45 nH ,
V ĢEN =±15V, T vj = 150 o C
|
|
293 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
78 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
365 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
92 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
62.8 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
18.6 |
|
mJ |
I SC
|
SC dati
|
t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1500
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
I F =400A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
I F =400A,V ĢEN =0V,T vj =125 o C |
|
1.90 |
|
I F =400A,V ĢEN =0V,T vj = 150 o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Atgūstas
Uzlāde
|
V R = 600V,I F =400A,
-di/dt=4130A/μs,V ĢEN =- 15 V, Garums S =45 nH ,T vj =25 o C
|
|
38.8 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
252 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
11.2 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstas
Uzlāde
|
V R = 600V,I F =400A,
-di /dt =3860A/μs, V ĢEN =- 15 V, Garums S =45 nH ,T vj =125 o C
|
|
61.9 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
255 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
18.7 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstas
Uzlāde
|
V R = 600V,I F =400A,
-di /dt =3720A/μs, V ĢEN =- 15 V, Garums S =45 nH ,T vj = 150 o C
|
|
75.9 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
257 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
20.5 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
Garums CE |
Neatklāta induktantība |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
|
0.35 |
|
mΩ |
R tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar korpusu (par Di) ode)
|
|
|
0.066
0.115
|
K/W |
R tCH
|
Izmērs: IGBT)
Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode)
Izmērs: (atkārtojiet)
|
|
0.031
0.055
0.010
|
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.m. |
G |
Svars of Modulis |
|
300 |
|
g |