Visas kategorijas
Iegūt piedāvājumu

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Epasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa/Produkti/IGBT Modulis/IGBT Modulis 1200V

GD400HFF120C2S, IGBT modulis, STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFF120C2S
  • Ievads
  • Kontūra
  • Ekvivalentā shēma
Ievads

Īsa ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 400A.

Funkcijas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Zemas slēgšanas zudumi
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipisks Lietojumprogrammas

  • Slēgšanas režīma barošanas avots
  • Induktīvā sildīšana
  • Elektriskās sārgmašīnas

Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

Es C

Kolektora strāva @ T C=25o C

@ T C=90o C

620

400

A

Es Cm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175o C

2272

V

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

Es F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

400

A

Es FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 mINŪTE

4000

V

IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

Es C=400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.90

2.35

V

Es C=400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125o C

2.40

Es C=400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

2.55

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

Es C= 10.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Es Tips

Kolektors Griezts Izslēgt

Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Es =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.9

ω

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=400A, Stienis G= 0,38Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25o C

1496

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

200

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1304

ns

t f

Nolieku laiks

816

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

27.6

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

20.8

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=400A, Stienis G= 0,38Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125o C

1676

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

252

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1532

ns

t f

Nolieku laiks

872

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

41.6

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

23.6

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=400A, Stienis G= 0,38Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150o C

1676

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

260

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1552

ns

t f

Nolieku laiks

888

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

46.0

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

24.0

mJ

Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

Es F =400A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

Es F =400A,V ĢEN =0V,T j = 125o C

1.90

Es F =400A,V ĢEN =0V,T j = 150o C

1.90

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25o C

20.4

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

180

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

6.8

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125o C

52.4

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

264

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

19.5

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150o C

60.8

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

284

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

22.6

mJ

Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

15

nH

Stienis CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.25

Stienis tJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.066

0.093

K/W

Stienis tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: (atkārtojiet)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g

Kontūra

image(c3756b8d25).png

Ekvivalentā shēma

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Epasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

Saistītais produkts

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūt piedāvājumu

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Epasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Epasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000