Īss ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 900A.
Īpašības
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Zema induktivitātes kārta
- AlSiC pamatne augstas jaudas ciklu spējām
- AlN substrāts zemas siltuma pretestības nodrošināšanai
Tipiskas lietošanas metodes
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T C |
Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C |
1466
900
|
A |
T CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
1800 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C |
5.34 |
kw |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
T F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
900 |
A |
T FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
1800 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T vjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T vjop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min. |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
T C = 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C |
|
2.00 |
2.45 |
V
|
T C = 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C |
|
2.50 |
|
T C = 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C |
|
2.65 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C =32.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
T Tips |
Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
1.44 |
|
ω |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 900A, Stienis Gons =1Ω, Stienis Goff =2Ω, Ls=50nH,
V ĢEN =-10/+15V, T vj =25o C
|
|
520 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
127 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
493 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
72 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
76.0 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
85.0 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 900A, Stienis Gons =1Ω, Stienis Goff =2Ω, Ls=50nH,
V ĢEN =-10/+15V, T vj =125o C
|
|
580 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
168 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
644 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
89 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
127 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
98.5 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 900A, Stienis Gons =1Ω, Stienis Goff =2Ω, Ls=50nH,
V ĢEN =-10/+15V, T vj =150o C
|
|
629 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
176 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
676 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
96 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
134 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
99.0 |
|
mJ |
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
T F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
T F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =125o C |
|
2.00 |
|
T F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =150o C |
|
2.05 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 900A,
-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V ĢEN =-10V,
T vj =25o C
|
|
80 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
486 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
35.0 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 900A,
-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V ĢEN =-10V,
T vj =125o C
|
|
153 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
510 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
64.0 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 900A,
-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V ĢEN =-10V,
T vj =150o C
|
|
158 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
513 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
74.0 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
L CE |
Neatklāta induktantība |
|
12 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu |
|
0.19 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode) |
|
|
28.1 44.1 |
K/kW |
|
Stienis tCH
|
Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: Modulis) |
|
9.82 15.4 6.0 |
|
K/kW |
|
M
|
Terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M6 skrūvis |
1.8 8.0 4.25 |
|
2.1
10
5.75
|
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
1050 |
|
g |
EN
