Visas kategorijas
Iegūt piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
E-pasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa/Produkti/IGBT Modulis/IGBT Modulis 1200V

GD900SGF120A3SN,IGBT modulis,STARPOWER

1200V 1200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900SGF120A3SN
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īsa ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER .1200V 900A.

Funkcijas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Zema induktivitātes kārta
  • AlSiC pamatne augstas jaudas ciklu spējām
  • AlN substrāts zemas siltuma pretestības nodrošināšanai

Tipiskas lietošanas metodes

  • Inverteris motora vadībai
  • AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
  • Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=100o C

1466

900

A

ICm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1800

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C

5.34

kw

Dioda

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

900

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1800

A

Modulis

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

IC= 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

2.00

2.45

V

IC= 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

2.50

IC= 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

2.65

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=32.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ITips

Kolektors Griezts —Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

1.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.44

ω

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C= 900A, R Gons =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V ĢEN =-10/+15V, T vj =25o C

520

ns

t r

Atkāpšanās laiks

127

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

493

ns

t f

Nolieku laiks

72

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

76.0

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

85.0

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C= 900A, R Gons =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V ĢEN =-10/+15V, T vj =125o C

580

ns

t r

Atkāpšanās laiks

168

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

644

ns

t f

Nolieku laiks

89

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

127

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

98.5

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C= 900A, R Gons =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V ĢEN =-10/+15V, T vj =150o C

629

ns

t r

Atkāpšanās laiks

176

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

676

ns

t f

Nolieku laiks

96

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

134

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

99.0

mJ

Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IF = 900A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.95

2.40

V

IF = 900A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

2.00

IF = 900A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

2.05

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V ĢEN =-10V,

T vj =25o C

80

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

486

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

35.0

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V ĢEN =-10V,

T vj =125o C

153

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

510

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

64.0

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V ĢEN =-10V,

T vj =150o C

158

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

513

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

74.0

mJ

Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

12

nH

R CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.19

mΩ

R tJC

Savienojums —līdz —Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

28.1 44.1

K/kW

R tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: Modulis)

9.82 15.4 6.0

K/kW

M

Terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M6 skrūvis

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m.

G

Svars no Modulis

1050

g

Kontūra

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
E-pasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

Saistītais produkts

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūt piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
E-pasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
E-pasts
Vārds un uzvārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000