Īsa ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 900A.
Funkcijas
-
Zema V CE (= 40 ) Grīdas IGBT tehnoloģijas
-
10μs īss īssavienojuma spējas ība
-
V CE (= 40 ) ar pozitīvs temperatūra koeficients
-
Maksimāli junkcijas temperatūra 175o C
-
Zema induktivitāte gadījums
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
-
Augsta jauda un termiskā cikla spēja tība
Tipisks Lietošanas jomas
- Augstas jaudas pārveidotājs
- Saulrasēja enerģija
- Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtības |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
IC |
Kolektora strāva @ T C=25o C
@ T C= 100o C
|
1522
900
|
A |
ICm |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
1800 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
5.24 |
kw |
Dioda
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtības |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1200 |
V |
IF |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde |
900 |
A |
IFM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
1800 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 mINŪTE |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
IC= 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC= 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
1.95 |
|
IC= 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.00 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
IC=22.5mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ITips |
Kolektors Griezts —Izslēgt
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
I=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
0.63 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz,
V ĢEN =0V
|
|
93.2 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
2.61 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =-15 ﹍+15V |
|
6.99 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 900A, R G=1,6Ω,
V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
214 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
150 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
721 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
206 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
76 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
128 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 900A, R G=1,6Ω,
V ĢEN =±15V, T j =125o C
|
|
235 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
161 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
824 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
412 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
107 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
165 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 900A, R G=1,6Ω,
V ĢEN =±15V, T j =150o C
|
|
235 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
161 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
876 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
464 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
112 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
180 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC dati
|
t P≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
3600
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
IF = 900A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.90 |
2.25 |
V
|
IF = 900A,V ĢEN =0V,T j = 125o C |
|
1.85 |
|
IF = 900A,V ĢEN =0V,T j = 150o C |
|
1.80 |
|
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F = 900A,
-di/dt=4800A/μs,V ĢEN =-15V T j =25o C
|
|
86 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
475 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
36.1 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F = 900A,
-di/dt=4800A/μs,V ĢEN =-15V T j = 125o C
|
|
143 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
618 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
71.3 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F = 900A,
-di/dt=4800A/μs,V ĢEN =-15V T j = 150o C
|
|
185 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
665 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
75.1 |
|
mJ |
NTC Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
R 25 |
Nominālais pretestība |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Atkāpe no R 100 |
T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Enerģiju
Zudums
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/501/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/801/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
18 |
|
nH |
R CC+EE |
Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
|
0.30 |
|
mΩ |
R tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar kārtu (par D) jods)
|
|
|
28.6
51.9
|
K/kW |
|
R tCH
|
Izmērs: IGBT)
Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)
Izmērs: Modulis)
|
|
14.0
25.3
4.5
|
|
K/kW |
|
M
|
Terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Termināla savienojums Griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M5 skrūvis |
1.8
8.0
3.0
|
|
2.1
10
6.0
|
N.m.
|
G |
Svars no Modulis |
|
825 |
|
g |
EN
