Īsa ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER .1200V 800A.
Funkcijas
-
Lzema VCE(sat) ietvaru IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
-
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 ℃
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Si3N4 pamatindele ar mazām termiskām pretestībām
- Izolēta meda pamatindele, izmantojot Si3N4 AMB tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis
- Inverteris motora vadībai
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
IC |
Kolektora strāva @ T C=100o C |
800 |
A |
ICm |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
1600 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
5172 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
IF |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
800 |
A |
IFM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
1600 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min. |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
IC=800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
IC=800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
2.30 |
|
IC=800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.40 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
IC=24.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ITips |
Kolektors Griezts —Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
I=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
0.7 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
62.1 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
1.74 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =-15...+15V |
|
4.66 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V ĢEN =±15V, LS =40nH ,T j =25o C
|
|
266 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
98 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
394 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
201 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
108 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
73.8 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V ĢEN =±15V, LS =40nH ,T j =125o C
|
|
280 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
115 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
435 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
275 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
153 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
91.3 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V ĢEN =±15V, LS =40nH ,T j =150o C
|
|
282 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
117 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
446 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
290 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
165 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
94.4 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC dati
|
t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
IF =800A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
2.00 |
2.45 |
V
|
IF =800A,V ĢEN =0V,T j =125o C |
|
2.15 |
|
IF =800A,V ĢEN =0V,T j =150o C |
|
2.20 |
|
J r |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F =800A,
-di/dt=5800A/μs,V ĢEN =-15V, LS =40nH ,T j =25o C
|
|
48.1 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
264 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
18.0 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F =800A,
-di/dt=4800A/μs,V ĢEN =-15V, LS =40nH ,T j =125o C
|
|
95.3 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
291 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
35.3 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F =800A,
-di⁄dt=4550A⁄μs,V ĢEN =-15V, LS =40nH ,T j =150o C
|
|
107 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
293 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
38.5 |
|
mJ |
NTC Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
R 25 |
Nominālais pretestība |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Atkāpe no R 100 |
T C=100 o Cr 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Enerģiju
Zudums
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/501/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/801/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
R tJC |
Savienojums —līdz —Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode) |
|
|
0.029 0.050 |
K/W |
|
R tCH
|
Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: Modulis) |
|
0.028 0.049 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
350 |
|
g |
EN
