IGBT modulis, GD1000HTA75P6HT Starpower

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I CN

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

I C

Kolektora strāva @ T F =125 o C

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

2000

A

P D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 o C T vj =175 o C

1282

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

750

V

I FN

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

2000

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Jo 10 sekundēm laikposmā 30s, notikums maksimāli 3000 reizes gar laiku

-40 līdz +150 +150 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

d Kāpšana

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

9.0 9.0

mm

d Skaidrs

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

4.5 4.5

mm

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C

1.10

1.35

V

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 o C

1.10

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 o C

1.10

I C =1000A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C

1.40

I C =1000A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 o C

1.60

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =12.9 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 o C

5.5

6.4

7.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.2

ω

C 125 °C

Ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

66.7

mHz

C ejs

Izvades jauda

1.50

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.35

mHz

Q G

NF

V CE =400V, I C = 450A, V ĢEN =-15...+15V

4.74

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A,

R Gons = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V,

Garums S =24nH, T vj =25 o C

244

ns

t r

Atkāpšanās laiks

61

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

557

ns

t f

Nolieku laiks

133

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

11.0

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

22.8

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A,

R Gons = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V,

Garums S =24nH, T vj = 150 o C

260

ns

t r

Atkāpšanās laiks

68

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

636

ns

t f

Nolieku laiks

226

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

16.9

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

32.2

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A,

R Gons = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V,

Garums S =24nH, T vj =175 o C

264

ns

t r

Atkāpšanās laiks

70

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

673

ns

t f

Nolieku laiks

239

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

19.2

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

33.6

mJ

I SC

SC dati

t P ≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C

1.40

1.65

V

I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj = 150 o C

1.35

I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =175 o C

1.30

I F =1000A,V ĢEN =0V,T vj =25 o C

1.80

I F =1000A,V ĢEN =0V,T vj =175 o C

1.80

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=7809A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =24 nH ,T vj =25 o C

18.5

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

303

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

3.72

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=6940A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =24 nH ,T vj = 150 o C

36.1

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

376

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

8.09

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=6748A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =24 nH ,T vj =175 o C

40.1

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

383

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

9.01

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

8

nH

R CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.75

mΩ

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

T atbalsta plāksne <40 o C

T atbalsta plāksne 40o C

(relatīvā spiediena)

2.5 2.0

bars

R tJF

Savienojums -uz -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △ V/ △ t=10,0 dM 3/min ,T F =75 o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars of Modulis

750

g