IGBT modulis, GD1000HTA75P6HT Starpower

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

Es Ķīna

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

Es C

Kolektora strāva @ T F =125o C

450

A

Es Cm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

2000

A

PD

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75o C T vj =175o C

1282

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

750

V

Es FN

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

Es F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

Es FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

2000

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Jo 10 sekundēm laikposmā 30s, notikums maksimāli 3000 reizes gar laiku

-40 līdz +150 +150 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 mINŪTE

2500

V

d Kāpšana

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

9.0 9.0

mm

d Skaidrs

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

4.5 4.5

mm

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

Es C= 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.10

1.35

V

Es C= 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

1.10

Es C= 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

1.10

Es C=1000A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.40

Es C=1000A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

1.60

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

Es C=12.9mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.5

6.4

7.0

V

Es Tips

Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Es =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.2

ω

C125 °C

Ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

66.7

mHz

Cejs

Izvades jauda

1.50

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.35

mHz

J G

NF

V CE =400V, I C = 450A, V ĢEN =-15...+15V

4.74

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C= 450A,

Stienis Gons = 1,2Ω, Stienis Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =25o C

244

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

61

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

557

ns

t f

Nolieku laiks

133

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

11.0

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

22.8

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C= 450A,

Stienis Gons = 1,2Ω, Stienis Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =150o C

260

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

68

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

636

ns

t f

Nolieku laiks

226

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

16.9

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

32.2

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C= 450A,

Stienis Gons = 1,2Ω, Stienis Goff =1,0Ω, V ĢEN =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =175o C

264

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

70

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

673

ns

t f

Nolieku laiks

239

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

19.2

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

33.6

mJ

Es SC

SC dati

t P≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P≤3μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

Es F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

Es F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.35

Es F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.30

Es F =1000A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.80

Es F =1000A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.80

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=7809A/μs,V ĢEN =-8V LS =24nH ,T vj =25o C

18.5

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

303

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

3.72

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=6940A/μs,V ĢEN =-8V LS =24nH ,T vj =150o C

36.1

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

376

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

8.09

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=6748A/μs,V ĢEN =-8V LS =24nH ,T vj =175o C

40.1

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

383

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

9.01

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

8

nH

Stienis CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.75

mΩ

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

T atbalsta plāksne <40o C

T atbalsta plāksne 40o C

(relatīvā spiediena)

2.5 2.0

stienis

Stienis tJF

Savienojums – līdz – Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △V/ △t=10,0 dM 3/mINŪTE ,T F =75o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars no Modulis

750

g