GD400HFY120C2S, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

630

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 o C

2083

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C

1.95

I C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 10.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.9

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

41.4

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.16

mHz

Q G

NF

V ĢEN =15V

3.11

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, R G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 o C

257

ns

t r

Atkāpšanās laiks

96

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

628

ns

t f

Nolieku laiks

103

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

23.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

34.0

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, R G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125o C

268

ns

t r

Atkāpšanās laiks

107

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

659

ns

t f

Nolieku laiks

144

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

35.3

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

51.5

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, R G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150o C

278

ns

t r

Atkāpšanās laiks

118

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

680

ns

t f

Nolieku laiks

155

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

38.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

56.7

mJ

I SC

SC dati

t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 125o C

1.65

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 o C

38.0

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

285

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

19.0

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

380

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

36.6

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

399

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

41.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

R CC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu

0.35

mΩ

R tJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.072

0.095

K/W

R tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.035

0.046

0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of Modulis

300

g