Īsa ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1700V 300A.
Funkcijas
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipisks Lietošanas jomas
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1700 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
IC |
Kolektora strāva @ T C=25o C@ T C= 100o C |
493
300
|
A |
ICm |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
600 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175o C |
1829 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1700 |
V |
IF |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde |
300 |
A |
IFM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
600 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 mINŪTE |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
IC= 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
IC= 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
2.25 |
|
IC= 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.35 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
IC= 12,0 mA,V CE =V ĢEN ,T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ITips |
Kolektors Griezts —Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
I=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
2.5 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
36.1 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.88 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
2.83 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C= 300A, R Gons =3,3Ω,
R Goff =4,7Ω, V ĢEN =±15V,
T j =25o C
|
|
213 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
83 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
621 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
350 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
79.2 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
70.2 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C= 300A, R Gons =3,3Ω,
R Goff =4,7Ω, V ĢEN =±15V,
T j = 125o C
|
|
240 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
92 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
726 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
649 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
104 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
108 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C= 300A, R Gons =3,3Ω, R Goff =4,7Ω,
V ĢEN =±15V, T j = 150o C
|
|
248 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
95 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
736 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
720 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
115 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
116 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC dati
|
t P≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V
|
|
1200
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
IF = 300A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
IF = 300A,V ĢEN =0V,T j = 125o C |
|
1.90 |
|
IF = 300A,V ĢEN =0V,T j = 150o C |
|
1.95 |
|
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 900V,I F = 300A,
-di/dt=3300A/μs,V ĢEN =-15V T j =25o C
|
|
82.5 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
407 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
46.6 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 900V,I F = 300A,
-di/dt=3300A/μs,V ĢEN =-15V T j =125o C
|
|
138 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
462 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
92.2 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 900V,I F = 300A,
-di/dt=3300A/μs,V ĢEN =-15V T j =150o C
|
|
154 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
460 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
109 |
|
mJ |
NTC Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
R 25 |
Nominālais pretestība |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Atkāpe no R 100 |
T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Enerģiju
Zudums
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/501/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/801/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu |
|
1.10 |
|
mΩ |
R tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods) |
|
|
0.082 0.129 |
K/W |
|
R tCH
|
Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis) |
|
0.029 0.046 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
350 |
|
g |
EN
