Īsa ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER .1200V 100A.
Funkcijas
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
-
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 ℃
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT-invertors
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
Es C |
Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=100o C |
155
100
|
A |
Es Cm |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
200 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
511 |
V |
Diodē-invertors
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
Es F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
100 |
A |
Es FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
200 |
A |
Dioda-pretējās straumes pārveidotājs
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1600 |
V |
Es O |
Vidējā izvades strāva 5 0Hz/60Hz, sinusoida |
100 |
A |
Es FSM |
Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C |
1150
880
|
A |
Es 2t |
Es 2t-vērtība,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C |
6600
3850
|
A2s |
IGBT-brake
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
Es C |
Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=100o C |
87
50
|
A |
Es Cm |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
100 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
308 |
V |
Dioda – bremze
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
Es F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
25 |
A |
Es FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
50 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra (inverters, breikis) Maksimālā savienojuma temperatūra (pretējās straumes pārveidotājs) |
175
150
|
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
2500 |
V |
IGBT – inverters Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
Es C=100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Es C=100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
1.95 |
|
Es C=100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.00 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
Es C=4.00mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Es Tips |
Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Es =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
7.5 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
10.4 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.29 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
0.78 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=100A, Stienis G=1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
218 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
35 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
287 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
212 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
9.23 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
6.85 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=100A, Stienis G=1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =125o C
|
|
242 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
41 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
352 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
323 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
13.6 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
9.95 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=100A, Stienis G=1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =150o C
|
|
248 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
43 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
365 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
333 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
14.9 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
10.5 |
|
mJ |
|
Es SC
|
SC dati
|
t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
400
|
|
A
|
Dioda – inverters Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
Es F =100A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Es F =100A,V ĢEN =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
Es F =100A,V ĢEN =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =100A,
-di/dt=2500A/μs,V ĢEN =-15V T j =25o C
|
|
5.89 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
103 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
3.85 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =100A,
-di/dt=2100A/μs,V ĢEN =-15V T j =125o C
|
|
13.7 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
109 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
6.64 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =100A,
-di/dt=1950A/μs,V ĢEN =-15V T j =150o C
|
|
15.6 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
109 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
7.39 |
|
mJ |
Dioda – taisngrieža Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
V F |
Diode uz priekšu Spriegums |
Es F =100A, T j =150o C |
|
0.95 |
|
V |
Es Stienis |
Atpakaļgaitas strāva |
T j =150o C,V Stienis =1600V |
|
|
2.0 |
mA |
IGBT – bremze Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
Es C=50A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Es C=50A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
1.95 |
|
Es C=50A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.00 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
Es C=2.00mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Es Tips |
Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Es =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
0 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
5.18 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.15 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
0.39 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=50A, Stienis G=15Ω,V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
171 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
32 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
340 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
82 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
6.10 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
2.88 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=50A, Stienis G=15Ω,V ĢEN =±15V, T j =125o C
|
|
182 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
43 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
443 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
155 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
8.24 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
4.43 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=50A, Stienis G=15Ω,V ĢEN =±15V, T j =150o C
|
|
182 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
43 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
464 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
175 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
8.99 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
4.94 |
|
mJ |
|
Es SC
|
SC dati
|
t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
200
|
|
A
|
Dioda – bremze Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
Es F =25A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Es F =25A,V ĢEN =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
Es F =25A,V ĢEN =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =25A,
-di/dt=900A/μs,V ĢEN =-15V T j =25o C
|
|
2.9 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
55 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
0.93 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =25A,
-di/dt=900A/μs,V ĢEN =-15V T j =125o C
|
|
5.1 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
58 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
1.72 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =25A,
-di/dt=900A/μs,V ĢEN =-15V T j =150o C
|
|
5.6 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
60 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
2.01 |
|
mJ |
NTC Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
Stienis 25 |
Nominālais pretestība |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Atkāpe no Stienis 100 |
T C=100 o Cr 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Enerģiju
Zudums
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
40 |
|
nH |
Stienis CC+EE Stienis AA ’+CC ’ |
Modulā "Slēpuma pretestība" nce, Kontakti līdz čipam |
|
4.00 3.00 |
|
mΩ |
|
Stienis tJC
|
Savienojums – līdz – Gadījums (perIGBT – inverters )
Savinieks-līdz-korpusei (katram diodam-invertētājs )
Savinieks-līdz sargkorpuss (katram diodam-retif ier)
Savienojums – līdz – Gadījums (perIGBT – bremze – griezējs ) Saistījums starp savienojumu un korpusu (par Diode-brake-chop par)
|
|
|
0.293 0.505 0.503 0.487 1.233 |
K/W
|
|
Stienis tCH
|
Gadījums – līdz – Siltumapdalītājs (perIGBT – inverters )
Korpuss-lidmaisājs (par Katodu-in )
Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-re ctifiers)
Gadījums – līdz – Siltumapdalītājs (perIGBT – bremze – griezējs )Korpuss-lidmaisājs (par Katodu-brake- chopper) Izmērs: Modulis)
|
|
0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009 |
|
K/W
|
M |
Monta griezes moments, Šķirbju:M5 |
3.0 |
|
6.0 |
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
300 |
|
g |
EN
