GD800HFA120C6SD,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

Es C

Kolektora strāva @ T C=100o C

800

A

Es Cm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1600

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C

4687

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

Es F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

900

A

Es FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1800

A

Es FSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T vj =125o C @ T vj =175o C

2392

2448

A

Es 2t

Es 2t- vērtību ,t p =10ms @ T vj =125o C@ T vj =175o C

28608

29964

A2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

Es C=800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.40

1.85

V

Es C=800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

1.60

Es C=800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

1.60

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

Es C=24.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

Es Tips

Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Es =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

28.4

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.15

mHz

J G

NF

V ĢEN =-15...+15V

2.05

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=800A, Stienis G=0.5Ω, L S =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =25o C

168

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

78

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

428

ns

t f

Nolieku laiks

123

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

43.4

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

77.0

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=800A,

Stienis G=0.5Ω, L S =40nH,

V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =125o C

172

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

84

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

502

ns

t f

Nolieku laiks

206

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

86.3

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

99.1

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=800A,

Stienis G=0.5Ω, L S =40nH,

V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =175o C

174

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

90

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

531

ns

t f

Nolieku laiks

257

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

99.8

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

105

mJ

Es SC

SC dati

t P≤8μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =150o C,

V CC = 800V, V CEM ≤1200V

2600

A

t P≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175o C,

V CC = 800V, V CEM ≤1200V

2500

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

Es F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.60

2.00

V

Es F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.60

Es F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.50

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V ĢEN =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

47.7

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

400

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

13.6

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V ĢEN =-8V, LS =40nH ,T vj =125o C

82.7

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

401

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

26.5

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V ĢEN =-8V, LS =40nH ,T vj =175o C

110

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

413

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

34.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K