GD800HFA120C6SD,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =100 o C

800

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1600

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 o C

4687

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

900

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1800

A

I FSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T vj =12 5o C @ T vj =175 o C

2392

2448

A

I 2t

I 2t- vērtību ,t p =10 lūdzu @ T vj =125 o C @ T vj =175 o C

28608

29964

A 2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C

1.40

1.85

V

I C =800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 o C

1.60

I C =800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 o C

1.60

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

28.4

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.15

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15...+15V

2.05

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A, R G =0.5Ω, L S =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =25 o C

168

ns

t r

Atkāpšanās laiks

78

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

428

ns

t f

Nolieku laiks

123

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

43.4

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

77.0

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A,

R G =0.5Ω, L S =40nH,

V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =125 o C

172

ns

t r

Atkāpšanās laiks

84

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

502

ns

t f

Nolieku laiks

206

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

86.3

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

99.1

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A,

R G =0.5Ω, L S =40nH,

V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =175 o C

174

ns

t r

Atkāpšanās laiks

90

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

531

ns

t f

Nolieku laiks

257

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

99.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

105

mJ

I SC

SC dati

t P ≤8μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj = 150 o C,

V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

t P ≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175 o C,

V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.00

V

I F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =125 o C

1.60

I F = 900A,V ĢEN =0V,T vj =175 o C

1.50

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =40 nH ,T vj =25 o C

47.7

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

400

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

13.6

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =40 nH ,T vj =125 o C

82.7

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

401

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

26.5

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =40 nH ,T vj =175 o C

110

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

413

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

34.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K