GD750HFA120C6S,IGBT Modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =100o C

750

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1500

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C

3125

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

900

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1500

A

I FSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

I 2t

I 2t- vērtību ,t p =10lūdzu @ T vj =25o C @ T vj =150o C

48174

30554

A 2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =750A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.35

1.85

V

I C =750A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

1.55

I C =750A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

1.55

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =24.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.5

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

85.2

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.45

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15...+15V

6.15

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =750A,

R G =0.5Ω,

V ĢEN =-8V/+15V,

Garums S =40nH ,T vj =25o C

238

ns

t r

Atkāpšanās laiks

76

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

622

ns

t f

Nolieku laiks

74

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

68.0

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

52.8

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V ĢEN =-8V/+15V,

Garums S =40nH ,T vj =125o C

266

ns

t r

Atkāpšanās laiks

89

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

685

ns

t f

Nolieku laiks

139

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

88.9

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

67.4

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V ĢEN =-8V/+15V,

Garums S =40nH ,T vj =175o C

280

ns

t r

Atkāpšanās laiks

95

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

715

ns

t f

Nolieku laiks

166

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

102

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

72.7

mJ

I SC

SC dati

t P ≤8μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

t P ≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =750A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

I F =750A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.65

I F =750A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

369

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

23.3

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =40nH ,T vj =125o C

120

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

400

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

39.5

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =40nH ,T vj =175o C

151

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

423

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

49.7

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

R CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.80

mΩ

R tJC

Savienojums -uz -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.048 0.088

K/W

R tCH

Gadījums -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT )Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Svars of Modulis

350

g