Īss ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 600A.
Īpašības
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Atdalīts meda pamats, izmantojot HPS DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Drošības un drošības politika |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums
Pārējo vārtu emitenta spriegums
|
±20 ±30 |
V |
I C |
Kolektora strāva @ T C =25 o C @ T C =100 o C |
925
600
|
A |
I CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
1200 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C |
3000 |
Platums |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Drošības un drošības politika |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
I F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
600 |
A |
I FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
1200 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Drošības un drošības politika |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min. |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C |
|
1.65 |
2.00 |
V
|
I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C |
|
1.95 |
|
I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C |
|
2.00 |
|
V ĢEN (ts ) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I Tips |
Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz |
V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
I =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz |
V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
1.25 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V |
|
60.8 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
1.84 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =-15...+15V |
|
4.64 |
|
μC |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 600A, R G = 1,2Ω, Garums S = 34 nH , V ĢEN =±15V,T j =25 o C
|
|
339 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
95 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
468 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
168 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
63.7 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
56.4 |
|
mJ |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 600A, R G = 1,2Ω, Garums S = 34 nH , V ĢEN =±15V,T j =125 o C
|
|
418 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
135 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
567 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
269 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
108 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
72.3 |
|
mJ |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 600A, R G = 1,2Ω, Garums S = 34 nH , V ĢEN =±15V,T j = 150 o C
|
|
446 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
151 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
602 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
281 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
123 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
78.2 |
|
mJ |
|
I SC
|
SC dati
|
t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =25 o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =1 25o C |
|
1.90 |
|
I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =1 50o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 600A,
-di/dt=5210A/μs,V ĢEN =-15V, Garums S = 34 nH ,T j =25 o C
|
|
49.3 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
300 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
24.1 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 600A,
-di/dt=3490A/μs,V ĢEN =-15V, Garums S = 34 nH ,T j =125 o C
|
|
85.2 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
314 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
33.8 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 600A,
-di/dt=3080A/μs,V ĢEN =-15V, Garums S = 34 nH ,T j = 150 o C
|
|
102 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
318 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
36.8 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
Garums CE |
Neatklāta induktantība |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
|
0.35 |
|
mΩ |
R tJC |
Savienojums -uz -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods) |
|
|
0.050 0.080 |
K/W |
|
R tCH
|
Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet) |
|
0.033 0.052 0.010 |
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.m. |
G |
Svars of Modulis |
|
300 |
|
g |
EN
