GD600HFX120C2SA , IGBT Modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 600A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Atdalīts meda pamats, izmantojot HPS DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums Pārējo vārtu emitenta spriegums	±20 ±30	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 o C @ T C =100 o C	925 600	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	1200	A
P D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C	3000	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	600	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	1200	A

Modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	o C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	o C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	o C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.	4000	V

IGBT Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C		1.65	2.00	V
		I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C		1.95
		I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C		2.00
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Iekšējā vārtu pretestība			1.25		ω
C 125 °C	Ies	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		60.8		mHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		1.84		mHz
Q G	NF	V ĢEN =-15...+15V		4.64		μC
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 600A, R G = 1,2Ω, Garums S = 34 nH , V ĢEN =±15V,T j =25 o C		339		ns
t r	Atkāpšanās laiks			95		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			468		ns
t f	Nolieku laiks			168		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			63.7		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			56.4		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 600A, R G = 1,2Ω, Garums S = 34 nH , V ĢEN =±15V,T j =125 o C		418		ns
t r	Atkāpšanās laiks			135		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			567		ns
t f	Nolieku laiks			269		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			108		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			72.3		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 600A, R G = 1,2Ω, Garums S = 34 nH , V ĢEN =±15V,T j = 150 o C		446		ns
t r	Atkāpšanās laiks			151		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			602		ns
t f	Nolieku laiks			281		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			123		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			78.2		mJ
I SC	SC dati	t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2400		A

Dioda Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =25 o C		1.85	2.30	V
		I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =1 25o C		1.90
		I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =1 50o C		1.95
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 600A, -di/dt=5210A/μs,V ĢEN =-15V, Garums S = 34 nH ,T j =25 o C		49.3		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			300		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			24.1		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 600A, -di/dt=3490A/μs,V ĢEN =-15V, Garums S = 34 nH ,T j =125 o C		85.2		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			314		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			33.8		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F = 600A, -di/dt=3080A/μs,V ĢEN =-15V, Garums S = 34 nH ,T j = 150 o C		102		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			318		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			36.8		mJ

Modulis Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība			20	nH
R CC+EE	Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu		0.35		mΩ
R tJC	Savienojums -uz -KĻŪDA (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			0.050 0.080	K/W
R tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)		0.033 0.052 0.010		K/W
M	Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Svars of Modulis		300		g