GD400HTX120P4SA,IGBT modulis,STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 400A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
Zemas slēgšanas zudumi
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Atdalīts medus pins ar DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis
Inverteris motora vadībai
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I CN	Izmantotais kolektors Cu īr	400	A
I C	Kolektora strāva @ T F =25 o C @ T F =75 o C	400 300	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	800	A
P D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C	1500	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I FN	Realizētais uz priekšu Cu īr	400	A
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	300	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	800	A

Modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	o C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	o C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	o C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	2500	V

IGBT Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C		1.50	1.95	V
		I C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C		1.60
		I C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C		1.65
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C = 16,0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C	5.3	5.8	6.3	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Iekšējā vārtu pretestība			0.5		ω
C 125 °C	Ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		41.4		mHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		1.16		mHz
Q G	NF	V ĢEN =15V		3.11		μC
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC =500V,I C = 300A, R G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, LS =25 nH ,T j =25 o C		74		ns
t r	Atkāpšanās laiks			31		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			352		ns
t f	Nolieku laiks			255		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			4.01		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			22.9		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC =500V,I C = 300A, R G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, Ls=25nH,T j =125 o C		81		ns
t r	Atkāpšanās laiks			34		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			411		ns
t f	Nolieku laiks			397		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			7.40		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			32.2		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC =500V,I C = 300A, R G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, Ls=25nH,T j = 150 o C		82		ns
t r	Atkāpšanās laiks			36		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			425		ns
t f	Nolieku laiks			434		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			8.90		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			35.2		mJ
I SC	SC dati	t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		1600		A

Dioda Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 o C		1.70	2.15	V
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 25o C		1.70
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 50o C		1.70
Q r	Atgūstamā nodeva	V R =500V,I F = 300A, -di⁄dt=10600A⁄μs,V ĢEN =-15V Ls=25nH,T j =25 o C		15.0		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			391		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			9.40		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R =500V,I F = 300A, -di⁄dt=9600A⁄μs,V ĢEN =-15V Ls=25nH,T j =125 o C		24.0		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			457		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			18.4		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R =500V,I F = 300A, -di/dt=9500A/μs,V ĢEN =-15V Ls=25nH,T j = 150 o C		29.0		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			488		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			23.2		mJ

NTC Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
R 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
∆R/R	Atkāpe of R 100	T C =100 o C r 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Jauda Zudums				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulis Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
△ p	Spiediena kritums Dzesēšanas Cir apģērbs △ V/ △ t=10,0 dM 3/min ;T F =25 o C ;Dzesēšana Šķidrums=50% ūdens/50% etilēnglikols		100		bar
p	Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs			2.5	bars
Garums CE	Neatklāta induktantība		14		nH
R CC+EE	Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu		0.80		mΩ
R tJF	Savienojums -uz -Dzesēšana Sūknis (perIGBT ) Savienojuma-dzesēšanas šķidrums (par Di) ode)			0.100 0.125	K/W
M	Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis	2.5 3.0		5.0 6.0	N.m.
G	Svars of Modulis		1250		g