GD275MJS120L6S,IGBT Modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IĶīna

Realizēts Kollektors C strāva

275

A

IC

Kolektora strāva @ T C=100o C

110

A

ICm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

450

A

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

IFN

Realizēta Priekšstrāva Curr ent

275

A

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

300

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

450

A

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

IFN

Realizēta Priekšstrāva Curr ent

275

A

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

225

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

450

A

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

IFN

Realizēta Priekšstrāva Curr ent

275

A

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

300

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

450

A

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

3200

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

IC=225A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

2.00

2.45

V

IC=225A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C

2.70

IC=225A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

2.90

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=9.00mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ITips

Kolektors Griezts —Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

1.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.7

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

38.1

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.66

mHz

J G

NF

V ĢEN =-15...+15V

2.52

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=225A, R G=2Ω,V ĢEN =-8/+15V, LS =36nH ,T j =25o C

154

ns

t r

Atkāpšanās laiks

45

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

340

ns

t f

Nolieku laiks

76

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

13.4

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

8.08

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=225A, R G=2Ω,V ĢEN =-8/+15V, LS =36nH ,T j =125o C

160

ns

t r

Atkāpšanās laiks

49

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

388

ns

t f

Nolieku laiks

112

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

17.6

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

11.2

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=225A, R G=2Ω,V ĢEN =-8/+15V, LS =36nH ,T j =150o C

163

ns

t r

Atkāpšanās laiks

51

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

397

ns

t f

Nolieku laiks

114

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

18.7

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

12.0

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IF = 300A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF = 300A,V ĢEN =0V,T j =125o C

1.60

IF = 300A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.60

J r

Atgūstas Uzlāde

V R = 600V,I F =225A,

-di\/dt=5350A\/μs,V ĢEN =-8V LS =36nH ,T j =25o C

20.1

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

250

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

6.84

mJ

J r

Atgūstas Uzlāde

V R = 600V,I F =225A,

-di\/dt=5080A\/μs,V ĢEN =-8V LS =36nH ,T j =125o C

32.5

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

277

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

11.5

mJ

J r

Atgūstas Uzlāde

V R = 600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V ĢEN =-8V LS =36nH ,T j =150o C

39.0

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

288

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

14.0

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IF =225A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =225A,V ĢEN =0V,T j =125o C

1.60

IF =225A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.60

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IF = 300A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF = 300A,V ĢEN =0V,T j =125o C

1.60

IF = 300A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.60

J r

Atgūstas Uzlāde

V R = 600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V ĢEN =-8V LS =30nH ,T j =25o C

18.6

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

189

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

5.62

mJ

J r

Atgūstas Uzlāde

V R = 600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V ĢEN =-8V LS =30nH ,T j =125o C

34.1

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

250

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

11.4

mJ

J r

Atgūstas Uzlāde

V R = 600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V ĢEN =-8V LS =30nH ,T j =150o C

38.9

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

265

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

13.2

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no R 100

T C=100o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Jaudas izkliede

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/501/T 2—1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/801/T 2—1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2— 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

15

nH

R tJC

Savinieks-līdz-korpusei (pēc T1 -T4 IGBT) Savinieks-līdz-korpusei (pēc D1/D4 D jods) Savinieks-līdz-korpusei (pēc D2/D3 D jods) Savinieks-līdz-korpusei (pēc D5/D6 D jods)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

R tCH

Korpusa-līdz-siltumnovirtes (pēc T 1-T4 IGBT) Korpusa-līdz-siltumnovirtes (pēc D1/D4 Diodēns) Korpusa-līdz-siltumnovirtes (pēc D2/D3 Diodēns) Korpuss-lidz-siltumatvēdinim (pēc D5\/D6 Diodēns)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

M

Monta griezes moments, Šķirbju:M5

3.0

5.0

N.m.

G

Svars no Modulis

250

g