Īss ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 275A.
Īpašības
-
Zema VCE (sat) Trenažas IGBT tehnoloģija
-
VCE (sat) ar pozitīvs temperatūra koeficients
-
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
-
Izolēts kopērs kā bāze izmantojot Si3 N4 AMB tehnoloģija
Tipiskas lietošanas metodes
Saulrasēja enerģija
3-līmeņa- pIEKTAIS
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 o C ja norādīts atzīmēts
T1-T4 IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Drošības un drošības politika |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
I CN |
Realizēts Kollektors C strāva |
275 |
A |
I C |
Kolektora strāva @ T C =100 o C |
110 |
A |
I CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
450 |
A |
D1/D4 Diods
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Drošības un drošības politika |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
I FN |
Realizēta Priekšstrāva Curr ent |
275 |
A |
I F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
300 |
A |
I FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
450 |
A |
D2/D3 Diods
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Drošības un drošības politika |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
I FN |
Realizēta Priekšstrāva Curr ent |
275 |
A |
I F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
225 |
A |
I FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
450 |
A |
D5\/D6 Diods
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Drošības un drošības politika |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
I FN |
Realizēta Priekšstrāva Curr ent |
275 |
A |
I F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
300 |
A |
I FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
450 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Drošības un drošības politika |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
3200 |
V |
T1-T4 IGBT Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
I C =225A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C |
|
2.00 |
2.45 |
V
|
I C =225A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C |
|
2.70 |
|
I C =225A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C |
|
2.90 |
|
V ĢEN (ts ) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
I C =9.00 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I Tips |
Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz |
V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
I =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz |
V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
1.7 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V |
|
38.1 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.66 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =-15...+15V |
|
2.52 |
|
μC |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =225A, R G =2Ω,V ĢEN =-8/+15V, Garums S =36 nH ,T j =25 o C
|
|
154 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
45 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
340 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
76 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
13.4 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
8.08 |
|
mJ |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =225A, R G =2Ω,V ĢEN =-8/+15V, Garums S =36 nH ,T j =125 o C
|
|
160 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
49 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
388 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
112 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
17.6 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
11.2 |
|
mJ |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =225A, R G =2Ω,V ĢEN =-8/+15V, Garums S =36 nH ,T j = 150 o C
|
|
163 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
51 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
397 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
114 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
18.7 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
12.0 |
|
mJ |
D1\/D4 Dioda Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 25o C |
|
1.60 |
|
I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 50o C |
|
1.60 |
|
Q r |
Atgūstas Uzlāde |
V R = 600V,I F =225A,
-di\/dt=5350A\/μs,V ĢEN =-8V Garums S =36 nH ,T j =25 o C
|
|
20.1 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
250 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
6.84 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstas Uzlāde |
V R = 600V,I F =225A,
-di\/dt=5080A\/μs,V ĢEN =-8V Garums S =36 nH ,T j =125 o C
|
|
32.5 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
277 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
11.5 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstas Uzlāde |
V R = 600V,I F =225A,
-di/dt=4930A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =36 nH ,T j = 150 o C
|
|
39.0 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
288 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
14.0 |
|
mJ |
D2\/D3 Dioda Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
I F =225A,V ĢEN =0V,T j =25 o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
I F =225A,V ĢEN =0V,T j =1 25o C |
|
1.60 |
|
I F =225A,V ĢEN =0V,T j =1 50o C |
|
1.60 |
|
D5\/D6 Dioda Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 25o C |
|
1.60 |
|
I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =1 50o C |
|
1.60 |
|
Q r |
Atgūstas Uzlāde |
V R = 600V,I F =225A,
-di/dt=5050A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =30 nH ,T j =25 o C
|
|
18.6 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
189 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
5.62 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstas Uzlāde |
V R = 600V,I F =225A,
-di/dt=4720A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =30 nH ,T j =125 o C
|
|
34.1 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
250 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
11.4 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstas Uzlāde |
V R = 600V,I F =225A,
-di/dt=4720A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =30 nH ,T j = 150 o C
|
|
38.9 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
265 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
13.2 |
|
mJ |
NTC Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
R 25 |
Nominālais pretestība |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Atkāpe of R 100 |
T C =100 o C r 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Jaudas izkliede |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B vērtība |
R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modulis Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
Garums CE |
Neatklāta induktantība |
|
15 |
|
nH |
|
R tJC
|
Savinieks-līdz-korpusei (pēc T1 -T4 IGBT) Savinieks-līdz-korpusei (pēc D1/D4 D jods) Savinieks-līdz-korpusei (pēc D2/D3 D jods) Savinieks-līdz-korpusei (pēc D5/D6 D jods) |
|
|
0.070 0.122 0.156 0.122 |
K/W
|
|
R tCH
|
Korpusa-līdz-siltumnovirtes (pēc T 1-T4 IGBT) Korpusa-līdz-siltumnovirtes (pēc D1/D4 Diodēns) Korpusa-līdz-siltumnovirtes (pēc D2/D3 Diodēns) Korpuss-lidz-siltumatvēdinim (pēc D5\/D6 Diodēns) |
|
0.043 0.053 0.069 0.053 |
|
K/W
|
M |
Monta griezes moments, Šķirbju:M5 |
3.0 |
|
5.0 |
N.m. |
G |
Svars of Modulis |
|
250 |
|
g |
EN
