GD200MLY120C2S,3-līmeņu ,IGBT Modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

337

200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

400

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C

1162

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C

1.95

I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =5.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

4.0

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

20.7

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.58

mHz

Q G

NF

V ĢEN =- 15...+15V

1.55

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 o C

150

ns

t r

Atkāpšanās laiks

32

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

330

ns

t f

Nolieku laiks

93

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

11.2

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

11.3

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125o C

161

ns

t r

Atkāpšanās laiks

37

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

412

ns

t f

Nolieku laiks

165

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

19.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

17.0

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150o C

161

ns

t r

Atkāpšanās laiks

43

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

433

ns

t f

Nolieku laiks

185

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

21.9

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

19.1

mJ

I SC

SC dati

t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 125o C

1.65

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 o C

17.6

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

228

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

7.7

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125 o C

31.8

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

238

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

13.8

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150 o C

36.6

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

247

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

15.2

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 125o C

1.65

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 o C

17.6

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

228

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

7.7

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125 o C

31.8

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

238

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

13.8

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150 o C

36.6

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

247

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

15.2

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

δR/R

Atkāpe of R 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R tJC

Savinieks-līdz korpusam (par T 1-T4 IGBT)

Savinieks-līdz korpusam (par D1-D4 Diodiem ode)

Savinieks-līdz korpusam (par D5,D6 Diodiem de)

0.129

0.237

0.232

K/W

R tCH

Izmērs: T1-T4 IGBT)

Korpus-līdz dzesētājam (par D1-D4 Diodēns)

Korpuss-lidmašīna (pēc D5,D6 Diodēns)

Izmērs: Modulis)

0.073

0.134

0.131

0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

G

Svars of Modulis

340

g