Īss ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 200A.
Īpašības
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
-
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 ℃
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T C |
Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C |
363
200
|
A |
T CRM |
Atkārtošanās Pīķis Kolektors Pašreizējais tp ierobežotas ar T vjop |
400 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C |
1293 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
T F |
Dioda nepārtrauktais priekšējais strāva ent |
200 |
A |
T Diodes uzpriekšējā strāva |
Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreizējais tp ierobežotas ar T vjop |
400 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
T vjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T vjop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
T C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
T C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C |
|
2.00 |
|
T C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C |
|
2.05 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C =8.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
T Tips |
Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
1.0 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
18.6 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.52 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
1.40 |
|
μC |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =200A, Stienis G =2.0Ω, Ls=50nH, V ĢEN =±15V, T vj =25o C
|
|
140 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
31 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
239 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
188 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
11.2 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
13.4 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =200A, Stienis G =2.0Ω, Ls=50nH, V ĢEN =±15V, T vj =125o C
|
|
146 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
36 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
284 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
284 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
19.4 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
18.9 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =200A, Stienis G =2.0Ω, Ls=50nH, V ĢEN =±15V, T vj =150o C
|
|
148 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
37 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
294 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
303 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
21.7 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
19.8 |
|
mJ |
|
T SC
|
SC dati
|
t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
800
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
T F =200A,V ĢEN =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
T F =200A,V ĢEN =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
T F =200A,V ĢEN =0V,T vj =150o C |
|
1.95 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =200A,
-di⁄dt=5710A⁄μs, Ls=50nH, V ĢEN =-15V, T vj =25o C
|
|
20.0 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
220 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
7.5 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =200A,
-di⁄dt=4740A⁄μs, Ls=50nH, V ĢEN =-15V, T vj =125o C
|
|
34.3 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
209 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
12.9 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =200A,
-di⁄dt=4400A⁄μs, Ls=50nH, V ĢEN =-15V, T vj =150o C
|
|
38.7 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
204 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
14.6 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
Stienis tJC |
Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode) |
|
|
0.116 0.185 |
K/W |
|
Stienis tCH
|
Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet) |
|
0.150 0.239 0.046 |
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis |
2.5 2.5 |
|
3.5 3.5 |
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
200 |
|
g |
EN
