Īss ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 200A.
Īpašības
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
-
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Drošības un drošības politika |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
I C |
Kolektora strāva @ T C =25 o C @ T C =100 o C |
363
200
|
A |
I CRM |
Atkārtošanās Pīķis Kolektors Pašreiz tp ierobežotas ar T vjop |
400 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175 o C |
1293 |
Platums |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Drošības un drošības politika |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
I F |
Dioda nepārtrauktais priekšējais strāva ent |
200 |
A |
I Diodes uzpriekšējā strāva |
Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreiz tp ierobežotas ar T vjop |
400 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Drošības un drošības politika |
T vjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T vjop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 o C |
|
2.00 |
|
I C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 o C |
|
2.05 |
|
V ĢEN (ts ) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
I C =8.0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I Tips |
Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz |
V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
I =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz |
V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
1.0 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
18.6 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.52 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
1.40 |
|
μC |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V ĢEN =±15V, T vj =25 o C
|
|
140 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
31 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
239 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
188 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
11.2 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
13.4 |
|
mJ |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V ĢEN =±15V, T vj =125 o C
|
|
146 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
36 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
284 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
284 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
19.4 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
18.9 |
|
mJ |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V ĢEN =±15V, T vj = 150 o C
|
|
148 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
37 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
294 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
303 |
|
ns |
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
21.7 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
19.8 |
|
mJ |
|
I SC
|
SC dati
|
t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
800
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
I F =200A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
I F =200A,V ĢEN =0V,T vj =125 o C |
|
1.90 |
|
I F =200A,V ĢEN =0V,T vj = 150 o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F =200A,
-di⁄dt=5710A⁄μs, Ls=50nH, V ĢEN =-15V, T vj =25 o C
|
|
20.0 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
220 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
7.5 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F =200A,
-di⁄dt=4740A⁄μs, Ls=50nH, V ĢEN =-15V, T vj =125 o C
|
|
34.3 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
209 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
12.9 |
|
mJ |
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F =200A,
-di⁄dt=4400A⁄μs, Ls=50nH, V ĢEN =-15V, T vj = 150 o C
|
|
38.7 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
204 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
14.6 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
R tJC |
Savienojums -uz -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode) |
|
|
0.116 0.185 |
K/W |
|
R tCH
|
Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet) |
|
0.150 0.239 0.046 |
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis |
2.5 2.5 |
|
3.5 3.5 |
N.m. |
G |
Svars of Modulis |
|
200 |
|
g |
EN
