GD150PIY120C6SN, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T C

Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C

292

150

A

T CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

300

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C

1111

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

150

A

T FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

300

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1600

V

T O

Vidējā izvades strāva 5 0Hz/60Hz, sinusoida

150

A

T FSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

T 2t

T 2t-vērtība,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A 2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T C

Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C

200

100

A

T CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

200

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C

833

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

50

A

T FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

100

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra (inverters, breikis) Maksimālā savienojuma temperatūra (pretējās straumes pārveidotājs)

175

150

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C =150A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.70

2.15

V

T C =150A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C

1.95

T C =150A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

2.00

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =6.00mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

1.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.0

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

15.5

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.44

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

1.17

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =150A, Stienis G =1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =25o C

96

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

30

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

255

ns

t f

Nolieku laiks

269

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

8.59

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

12.3

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =150A, Stienis G =1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =125o C

117

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

37

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

307

ns

t f

Nolieku laiks

371

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

13.2

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

16.8

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =150A, Stienis G =1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =150o C

122

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

38

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

315

ns

t f

Nolieku laiks

425

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

14.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

18.1

mJ

T SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F =150A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.85

2.25

V

T F =150A,V ĢEN =0V,T j =125o C

1.90

T F =150A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.95

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=4750A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =25o C

8.62

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

177

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

5.68

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=3950A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =125o C

16.7

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

191

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

10.2

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=3750A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =150o C

19.4

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

196

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

12.1

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T C =150A, T j =150o C

1.00

V

T Stienis

Atpakaļgaitas strāva

T j =150o C,V Stienis =1600V

3.0

mA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.70

2.15

V

T C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C

1.95

T C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

2.00

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =4.00mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

1.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

7.5

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

10.4

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.29

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.08

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =100A, Stienis G =1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =25o C

170

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

32

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

360

ns

t f

Nolieku laiks

86

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

5.90

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

6.05

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =100A, Stienis G =1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =125o C

180

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

42

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

470

ns

t f

Nolieku laiks

165

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

9.10

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

9.35

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =100A, Stienis G =1,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =150o C

181

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

43

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

480

ns

t f

Nolieku laiks

186

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

10.0

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

10.5

mJ

T SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F =50A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

T F =50A,V ĢEN =0V,T j =125o C

1.90

T F =50A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.95

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =50A,

-di⁄dt=1400A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =25o C

6.3

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

62

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

1.67

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =50A,

-di⁄dt=1400A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =125o C

10.1

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

69

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

2.94

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =50A,

-di⁄dt=1400A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =150o C

11.5

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

72

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

3.63

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

L CE

Neatklāta induktantība

40

nH

Stienis CC+EE Stienis AA ’+CC ’

Modulā "Slēpuma pretestība" nce, Kontakti līdz čipam

4.00 3.00

mΩ

Stienis tJC

Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT -inverters ) Saistība starp savienojumu un korpusu (katram DĪODA-invertoru er) Savinieks-līdz sargkorpuss (katram diodam-retif ier) Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT -bremze )

Savinājums līdz korpusam (par Diodu-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

Stienis tCH

Gadījums -pret -Siltumapdalītājs (perIGBT -inverters )Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-i nverters) Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-re ctifiers) Gadījums -pret -Siltumapdalītājs (perIGBT -bremze )

Korpusam līdz dzesētājam (par Dio de-brake) Izmērs: Modulis)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

M

Monta griezes moments, Šķirbju:M5

3.0

6.0

N.m.