GD150HFU120C8SD, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

Es C

Kolektora strāva @ T C=25o C@ T C=85o C

238

150

A

Es Cm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

300

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =150o C

1237

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

Es F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

150

A

Es FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

300

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +125

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

Es C=150A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

2.90

3.35

V

Es C=150A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

3.60

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

Es C=3.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

Es Tips

Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Es =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.50

ω

C125 °C

Ies

V CE =30V,f=1MHz, V ĢEN =0V

19.2

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.60

mHz

J G

NF

V ĢEN =-15...+15V

1.83

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=150A, Stienis G=6.8Ω,Ls=35nH, V ĢEN =±15V,T vj =25o C

183

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

73.8

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

438

ns

t f

Nolieku laiks

33.0

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

12.8

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

5.31

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=150A, Stienis G=6.8Ω,Ls=35nH, V ĢEN =±15V,T vj =125o C

185

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

74

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

476

ns

t f

Nolieku laiks

44.5

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

15.5

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

7.74

mJ

Es SC

SC dati

t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =125o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

Es F =150A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Es F =150A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.90

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs,Ls=35nH, V ĢEN =-15V, T vj =25o C

11.9

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

113

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

4.02

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs,Ls=35nH, V ĢEN =-15V, T vj =125o C

22.5

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

139

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

8.58

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis tJC

Savienojums – līdz – Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.101 0.257

K/W

Stienis tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.028 0.071 0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g