Īss ievads   
IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 100A. 
Īpašības 
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija 
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja 
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu 
- 
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C 
- Zema induktivitātes kārta 
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD 
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju 
Tipiskas lietošanas metodes 
- Slēgšanas režīma barošanas avots 
- Induktīvā sildīšana 
- Elektriskās sārgmašīnas 
 
Absolūta  Maksimālā  Reitingu rādītāji  T F   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts  
IGBT 
| Sīkāku informāciju  | Apraksts  | Vērtību  | Drošības un drošības politika  | 
| V Tips  | Sildītājs-izsildītājs  | 1200 | V  | 
| V =150 °C  | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums  | ±20  | V  | 
| I C    | Kolektora strāva @ T   C   =25 o   C   @ T C   =75 o   C    | 146 100 | A  | 
| I CM  | Impulsu kolektora strāva t   p   =1ms  | 200 | A  | 
| P   D    | Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj = 150 o   C    | 771 | Platums    | 
Dioda 
 
| Sīkāku informāciju  | Apraksts  | Vērtību  | Drošības un drošības politika  | 
| V RRM  | Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums  | 1200 | V  | 
| I F    | Dioda nepārtraukta uz priekšu īr  | 100 | A  | 
| I FM  | Diodes maksimālā priekšējā strāva t   p   =1ms  | 200 | A  | 
Modulis 
 
| Sīkāku informāciju  | Apraksts  | Vērtību  | Drošības un drošības politika  | 
| T vjmax  | Maksimālā savienojuma temperatūra  | 150 | o   C    | 
| T vjop  | Darbības savienojuma temperatūra  | -40 līdz +125  | o   C    | 
| T STG  | Uzglabāšanas temperatūras diapazons  | -40 līdz +125  | o   C    | 
| V ISO  | Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.  | 2500 | V  | 
IGBT  Raksturlielumi  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
 
| Sīkāku informāciju  | Parametrs    | Testēšanas apstākļi  | Min.  | Tips.  | Max.  | Drošības un drošības politika  | 
|   V CE (sat)  | Saņēmējs - emitents  Sātumapstrādes spriegums  | I C   =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums  T vj =25 o   C    |   | 3.00 | 3.45 |   V  | 
| I C   =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums  T vj =125 o   C    |   | 3.80 |   | 
| V ĢEN (ts ) | Vārda emitenta slieksnis  Spriegums    | I C   =4,0 mA ,V CE   = V ĢEN , T vj =25 o   C    | 4.5 | 5.5 | 6.5 | V  | 
| I Tips  | Kolektors  Izgriežts -Izslēgt Pašreiz  | V CE   = V Tips ,V ĢEN =0V,  T vj =25 o   C    |   |   | 5.0 | mA  | 
| I =150 °C  | Izslēguma emitenta noplūde  Pašreiz  | V ĢEN = V =150 °C ,V CE   =0V, T vj =25 o   C    |   |   | 400 | nA  | 
| R Gint  | Iekšējā vārtu pretestība - - - -  |   |   | 1.0 |   | ω  | 
| C   125 °C  | Ies  | V CE   =25V, f=1MHz,  V ĢEN =0V  |   | 6.50 |   | mHz  | 
| C   pretestība  | Atgriezītais pārvedums  Jauda  |   | 0.42 |   | mHz  | 
| Q   G    | NF  | V ĢEN =-15...+15V  |   | 1.10 |   | μC  | 
| t d   (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks  |     V CC = 600V,I C   =100A,   R G   =9.1Ω,V ĢEN =±15V,  LS =48 nH ,T vj =25 o   C    |   | 38 |   | ns  | 
| t r  | Atkāpšanās laiks  |   | 50 |   | ns  | 
| t d(izslēgt)  | Izslēgt  Atlikušais laiks  |   | 330 |   | ns  | 
| t f    | Nolieku laiks  |   | 27 |   | ns  | 
| E ieslēgta  | Slēgt  Pārslēgšana  Zaudējumi  |   | 8.92 |   | mJ  | 
| E izslēgt  | Izslēgtas  Zaudējumi  |   | 2.06 |   | mJ  | 
| t d   (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks  |     V CC = 600V,I C   =100A,   R G   =9.1Ω,V ĢEN =±15V,  LS =48 nH ,T vj =125 o   C    |   | 37 |   | ns  | 
| t r  | Atkāpšanās laiks  |   | 50 |   | ns  | 
| t d(izslēgt)  | Izslēgt  Atlikušais laiks  |   | 362 |   | ns  | 
| t f    | Nolieku laiks  |   | 43 |   | ns  | 
| E ieslēgta  | Slēgt  Pārslēgšana  Zaudējumi  |   | 10.7 |   | mJ  | 
| E izslēgt  | Izslēgtas  Zaudējumi  |   | 3.69 |   | mJ  | 
| I SC  | SC dati  | t P   ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums  T vj =125 o   C   ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V  |   | 650 |   | A  | 
Dioda  Raksturlielumi  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
 
| Sīkāku informāciju  | Parametrs    | Testēšanas apstākļi  | Min.  | Tips.  | Max.  | Drošības un drošības politika  | 
| V F    | Diode uz priekšu  Spriegums    | I F   =100A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o   C    |   | 1.85 | 2.30 | V  | 
| I F   =100A,V ĢEN =0V,T vj =125 o   C    |   | 1.90 |   | 
| Q   r  | Atgūstamā nodeva  |   V R = 600V,I F   =100A,  -di/dt=2245A/μs,V ĢEN =-15V  LS =48 nH ,T vj =25 o   C    |   | 11.5 |   | μC  | 
| I RM  | Augstais augstums  Atgūšanas strāvas  |   | 101 |   | A  | 
| E rec  | Atgriezeniska atgūšana  Enerģija  |   | 4.08 |   | mJ  | 
| Q   r  | Atgūstamā nodeva  |   V R = 600V,I F   =100A,  -di/dt=2352A/μs,V ĢEN =-15V  LS =48 nH ,T vj =125 o   C    |   | 19.0 |   | μC  | 
| I RM  | Augstais augstums  Atgūšanas strāvas  |   | 120 |   | A  | 
| E rec  | Atgriezeniska atgūšana  Enerģija  |   | 7.47 |   | mJ  | 
 
NTC  Raksturlielumi  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
 
| Sīkāku informāciju  | Parametrs    | Testēšanas apstākļi  | Min.  | Tips.  | Max.  | Drošības un drošības politika  | 
| R 25 | Nominālais pretestība  |   |   | 5.0 |   | kΩ  | 
| ∆R/R  | Atkāpe  of  R 100 | T vj  =100  o   C,R 100= 493,3Ω  | -5 |   | 5 | % | 
| P   25 | Jauda    Zudums  |   |   |   | 20.0 | mW  | 
| B   25/50  | B vērtība  | R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]  |   | 3375 |   | K  | 
| B   25/80  | B vērtība  | R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]  |   | 3411 |   | K  | 
| B   25/100  | B vērtība  | R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]  |   | 3433 |   | K  | 
 
Modulis  Raksturlielumi  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
 
| Sīkāku informāciju  | Parametrs    | Min.  | Tips.  | Max.  | Drošības un drošības politika  | 
| Garums   CE    | Neatklāta induktantība  |   | 21 |   | nH  | 
| R CC+EE  | Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu  |   | 2.60 |   | mΩ  | 
| R tJC  | Savienojums -uz   -Gadījums  (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)  |   |   | 0.162 0.401 | K/W  | 
|   R tCH  | Gadījums -uz   -Mitrains  (perIGBT ) Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam)  Izmērs: (atkārtojiet)  |   | 0.051 0.125 0.009 |   | K/W  | 
| M  | Monta griezes moments,  M6 skrūvis  | 3.0 |   | 6.0 | N.m.  | 
| G    | Svars  of  Modulis  |   | 300 |   | g    |