GD100HHU120C6SD, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T C

Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =75o C

146

100

A

T CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

200

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =150o C

771

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

100

A

T FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

200

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +125

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

3.00

3.45

V

T C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

3.80

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =4.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

4.5

5.5

6.5

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

5.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.0

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

6.50

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.42

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15...+15V

1.10

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =100A, Stienis G =9.1Ω,V ĢEN =±15V, LS =48nH ,T vj =25o C

38

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

50

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

330

ns

t f

Nolieku laiks

27

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

8.92

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

2.06

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =100A, Stienis G =9.1Ω,V ĢEN =±15V, LS =48nH ,T vj =125o C

37

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

50

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

362

ns

t f

Nolieku laiks

43

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

10.7

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

3.69

mJ

T SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =125o C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

650

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F =100A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

T F =100A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.90

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V ĢEN =-15V LS =48nH ,T vj =25o C

11.5

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

101

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

4.08

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V ĢEN =-15V LS =48nH ,T vj =125o C

19.0

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

120

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

7.47

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T vj =100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

L CE

Neatklāta induktantība

21

nH

Stienis CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

2.60

mΩ

Stienis tJC

Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.162 0.401

K/W

Stienis tCH

Gadījums -pret -Mitrains (perIGBT )

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam)

Izmērs: (atkārtojiet)

0.051 0.125 0.009

K/W

M

Monta griezes moments, M6 skrūvis

3.0

6.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g