GD400CUX120C2S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

636

400

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

2083

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

400

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC= 400А,В ГЭ =15В, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC= 400А,В ГЭ =15В, T vj =125o C

2.00

IC= 400А,В ГЭ =15В, T vj =150o C

2.05

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=14.4mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

37.3

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.04

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

2.80

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2.0Ω, L Сек =50нГн ,V ГЭ =±15В, T vj =25o C

223

н

t r

Күтерілу уақыты

49

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

334

н

t f

Күз мезгілі

190

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

28.7

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2.0Ω, L Сек =50нГн ,V ГЭ =±15В, T vj =125o C

230

н

t r

Күтерілу уақыты

54

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

385

н

t f

Күз мезгілі

300

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

29.4

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

41.2

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2.0Ω, L Сек =50нГн ,V ГЭ =±15В, T vj =150o C

228

н

t r

Күтерілу уақыты

57

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

393

н

t f

Күз мезгілі

315

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

32.3

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

42.9

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1600

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=8030А/мкс, L Сек =50нГн, V ГЭ =-15V, T vj =25o C

33.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

374

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.6

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=7030А/мкс, L Сек =50нГн, V ГЭ =-15V, T vj =125o C

67.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

446

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

28.2

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=6880A/μs, L Сек =50нГн, V ГЭ =-15V, T vj =150o C

75.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

452

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

31.4

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.072 0.113

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.023 0.036 0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g