Қысқаша кіріспе 
IGBT модулі , STARPOWER компаниясымен өндірілген. 1200В 400А. 
Сипаттамалар 
- NPT IGBT технологиясы 
- 10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі 
- Қалпына келтіруден кететін шығындар аз 
- Өте жылдам қызмет көрсетумен берік 
- Оң температура коэффициентi бар VCE (sat) 
- Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD 
- DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы 
Үлгілік  Қолданбалар 
- Қосқыш режиміндегі қуат көзі 
- Индуктивті қыздыру 
- Электронды дәнекерлеуші 
Абсолютті  Максимум  Рейтингтер  T   Ц =25 o   Ц  егер  каланын  белгіленген 
IGBT 
 
| Символ  | Сипаттама  | Мәні  | Бірлік  | 
| V CES  | Жинағыш-эмиттер кернеуі  | 1200 | V  | 
| V ГЭС  | Қақпа-эмиттер кернеуі  | ±20  | V  | 
| I Ц  | Коллектор токы @ T Ц =25 o   Ц  @ Т Ц =60 o   Ц  | 505 400 | А  | 
| I CM  | Импульсны коллектор токы t p =1 мс  | 800 | А  | 
| P D  | Максималды қуаттылық ж =150 o   Ц  | 2358 | W  | 
Диод 
 
| Символ  | Сипаттама  | Мәні  | Бірлік  | 
| V РРМ  | Қайталанатын ең жоғары кері кернеу  | 1200 | V  | 
| I F  | Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу  | 400 | А  | 
| I Fm  | Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс  | 800 | А  | 
Модуль 
 
| Символ  | Сипаттама  | Мәні  | Бірлік  | 
| T   jmax  | Жоғарғы түйісу температурасы  | 150 | o   Ц  | 
| T   жіп  | Жұмыс қиылысының температурасы  | -40-дан +125-ге дейін  | o   Ц  | 
| T   ЖТГ  | Сақтау температурасы Диапазон  | -40-дан +125-ге дейін  | o   Ц  | 
| V ISO    | Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты  | 2500 | V  | 
IGBT  Характеристикалар  T   Ц =25 o   Ц  егер  каланын  белгіленген 
 
| Символ  | Параметр  | Сынақ шарттары  | Мин.  | Тип.  | Макс.  | Бірлік  | 
|   V (Солтүстік Қазақстан)  | Жинақтаушыдан эмитентке  Қанығу кернеуі  | I Ц = 400А,В ГЭ =15В,  T   ж =25 o   Ц  |   | 2.90 | 3.35 |   V  | 
| I Ц = 400А,В ГЭ =15В,  T   ж =125 o   Ц  |   | 3.60 |   | 
| V ГЭ (th   ) | Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері  Кернеу    | I Ц =4,0 mА ,V CE = V ГЭ , T   ж =25 o   Ц  | 5.0 | 5.8 | 6.6 | V  | 
| I CES  | Жинақтаушы  Жібек -Ашылған  Жүк  | V CE = V CES ,V ГЭ =0В,  T   ж =25 o   Ц  |   |   | 5.0 | mА  | 
| I ГЭС  | Қақпа-эмиттердің сынуы  Жүк  | V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T   ж =25 o   Ц  |   |   | 400 | nA  | 
| R Гинт  | Ішкі қақпаның кедергісі лық  |   |   | 0.5 |   | ω  | 
| Ц лар  | Кіріс сыйымдылығы  | V CE =25В,f=1Мхц,  V ГЭ =0В  |   | 26.2 |   | нФ  | 
| Ц ре  | Кері ауыстыру  Қуаттылық  |   | 1.68 |   | нФ  | 
| Q G  | Қақпалық төлем  | V ГЭ =-  15...+15В  |   | 4.18 |   | μC  | 
| t   d (қОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты  |     V CC = 600В,I Ц =400А,   R G =2,4Ω,  V ГЭ =±15В,  T   ж =25 o   Ц  |   | 337 |   | н  | 
| t   r  | Күтерілу уақыты  |   | 88 |   | н  | 
| t   d (ашылған ) | Бұғаттау  Кешіру уақыты  |   | 460 |   | н  | 
| t   f  | Күз мезгілі  |   | 116 |   | н  | 
| E қОСУЛЫ  | Қалпына келтіру  Ауысу  Жоғалту  |   | 21.2 |   | мЖ  | 
| E ашылған  | Оқиғаның орнын ауыстыру  Жоғалту  |   | 19.4 |   | мЖ  | 
| t   d (қОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты  |     V CC = 600В,I Ц =400А,   R G =2,4Ω,  V ГЭ =±15В,  T   ж =  125o   Ц  |   | 359 |   | н  | 
| t   r  | Күтерілу уақыты  |   | 90 |   | н  | 
| t   d (ашылған ) | Бұғаттау  Кешіру уақыты  |   | 492 |   | н  | 
| t   f  | Күз мезгілі  |   | 128 |   | н  | 
| E қОСУЛЫ  | Қалпына келтіру  Ауысу  Жоғалту  |   | 29.4 |   | мЖ  | 
| E ашылған  | Оқиғаның орнын ауыстыру  Жоғалту  |   | 26.0 |   | мЖ  | 
|   I SC  |   SC деректері  | t   P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,  T   ж =125 o   C,V CC = 900В,  V КЕМ ≤ 1200В  |   |   2400 |   |   А  | 
Диод  Характеристикалар  T   Ц =25 o   Ц  егер  каланын  белгіленген 
 
| Символ  | Параметр  | Сынақ шарттары  | Мин.  | Тип.  | Макс.  | Бірлік  | 
| V F  | Алға қарай диод  Кернеу    | I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o   Ц  |   | 2.00 | 2.45 | V  | 
| I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =  125o   Ц  |   | 2.10 |   | 
| Q r  | Алынған айыппұл  | V CC = 600В,I F =400А,  -di/dt=2840A/μs,V ГЭ =±15В,  T   ж =25 o   Ц  |   | 27.0 |   | μC  | 
| I RM  | Төменгі деңгейдің кері  Қайта қалпына келтіру тогы  |   | 280 |   | А  | 
| E рек  | Қайта қалпына келтіру Энергия  |   | 16.6 |   | мЖ  | 
| Q r  | Алынған айыппұл  | V CC = 600В,I F =400А,  -di/dt=2840A/μs,V ГЭ =±15В,  T   ж =  125o   Ц  |   | 46.0 |   | μC  | 
| I RM  | Төменгі деңгейдің кері  Қайта қалпына келтіру тогы  |   | 380 |   | А  | 
| E рек  | Қайта қалпына келтіру Энергия  |   | 30.0 |   | мЖ  | 
 
 Модуль  Характеристикалар  T   Ц =25 o   Ц  егер  каланын  белгіленген 
 
| Символ  | Параметр  | Мин.  | Тип.  | Макс.  | Бірлік  | 
| R тЖК  | Қатысу (IGB бойынша) Т)  Құрамына байланысты (D-ға) йод)  |   |   | 0.053 0.103 | К/W  | 
|   R тХ  | Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)  Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)  Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)  |   | 0.048 0.094 0.032 |   | К/W  | 
| М  | Терминал қосылымның қозғалыс моменті,  М6 бұрандасы  Монументтік момент,  М6 бұрандасы  | 2.5 3.0 |   | 5.0 5.0 | Н.М  | 
| G  | Салмағы  туралы  Модуль  |   | 350 |   | g  |