GD400CLU120C2S, IGBT Модулі, Шоптырлық тіркес бір пакетте, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C=60o C

505

400

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

A

PD

Максималды қуаттылық ж =150o C

2358

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

400

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC= 400А,В ГЭ =15В, T ж =25o C

2.90

3.35

V

IC= 400А,В ГЭ =15В, T ж =125o C

3.60

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=4.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.0

5.8

6.6

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

26.2

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.68

нФ

С G

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

4.18

μC

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2,4Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25o C

337

н

t r

Күтерілу уақыты

88

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

460

н

t f

Күз мезгілі

116

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

21.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

19.4

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2,4Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

359

н

t r

Күтерілу уақыты

90

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

492

н

t f

Күз мезгілі

128

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

29.4

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

26.0

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =125o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

2400

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

2.00

2.45

V

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o C

2.10

С r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =400А,

-di/dt=2840A/μs,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

27.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

280

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

16.6

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =400А,

-di/dt=2840A/μs,V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

46.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

380

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

30.0

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.053

0.103

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.048

0.094

0.032

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g